[发明专利]被加工物的加工方法有效
申请号: | 201810316110.7 | 申请日: | 2018-04-10 |
公开(公告)号: | CN108735666B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 小幡翼 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 庞东成;褚瑶杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加工 方法 | ||
一种被加工物的加工方法,用简单的方法将被加工物分割成芯片。被加工物具有透明基板、在基板表面的第1树脂层、在基板背面的第2树脂层,第1树脂层由多条分割预定线划分成多个区域,该方法具备:带粘贴步骤,将粘接带粘贴在第2树脂层;保持步骤,用激光加工装置的卡盘工作台对被加工物进行保持;树脂层除去步骤,对被加工物照射具有对第1树脂层来说为吸收性、对基板来说为透过性的波长的激光束,用烧蚀加工沿分割预定线除去第1树脂层;改质层形成步骤,越过除去第1树脂层的区域对被加工物照射激光束,在基板内部沿分割预定线形成改质层;分割步骤,扩展粘接带,以改质层为起点沿该分割预定线将基板和第2树脂层断裂,被加工物分割成芯片。
技术领域
本发明涉及一种被加工物的加工方法,其对中介层(interposer)基板等板状的被加工物进行加工。
背景技术
为了在母板上安装半导体芯片或各种电子部件,已知有使用中介层,由于半导体电路的电极的间距非常小而无法将半导体芯片直接安装在母板上,因此使用中介层来扩大电极间的间距,确保与母板的焊盘的导通。
中介层是通过将在基板的表面和背面这两面具有再布线层的中介层基板沿着分割预定线分割成芯片而制造出的(例如,参照日本特开2001-196743号公报)。
作为中介层基板,采用玻璃环氧基板、玻璃基板、陶瓷基板等,在这些基板的表面和背面这两面层叠具有由铜等构成的导体图案的树脂层来形成再布线层。
以往,为了将中介层基板分割成各个中介层芯片,对中介层基板的表面侧的再布线层、基板、背面侧的再布线层分别实施不同的加工,将中介层基板分割成各个中介层芯片。
例如,表面的再布线层利用基于激光束照射的烧蚀除去,接下来照射具有对基板来说为透过性的波长的激光束,在基板内部形成改质层,之后使基板上下反转,对背面侧的再布线层照射激光束,利用烧蚀除去该背面侧的再布线层,从而将中介层基板整体分割成各个中介层芯片。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2001-196743号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是,在现有的激光加工方法中,需要两种激光振荡器、即用于利用烧蚀除去再布线层的激光振荡器和用于在基板内形成改质层的激光振荡器,在基板内形成改质层后,需要进行使基板上下反转并利用烧蚀除去背面侧的再布线层的工序,具有工序复杂、制造成本高的问题。
本发明是鉴于这样的情况而完成的,其目的在于提供一种被加工物的加工方法,该加工方法能够利用简单的方法将在透明基板的表面和背面这两面具有树脂层的被加工物分割成芯片。
用于解决课题的手段
根据本发明,提供一种被加工物的加工方法,其是板状的被加工物的加工方法,该板状的被加工物具有透明的基板、层叠在该基板的表面的第1树脂层、以及层叠在该基板的背面的第2树脂层,该第1树脂层由相互交叉的多条分割预定线划分成多个区域,该加工方法的特征在于,其具备下述步骤:带粘贴步骤,将具有扩展性的粘接带粘贴在该被加工物的该第2树脂层上;保持步骤,利用激光加工装置的卡盘工作台隔着该粘接带对该被加工物进行保持;树脂层除去步骤,对该被加工物照射具有对于该第1树脂层来说为吸收性、对于该透明基板来说为透过性的波长的激光束,利用烧蚀加工沿着该分割预定线除去该第1树脂层;改质层形成步骤,在实施该树脂层除去步骤之后,越过除去了该第1树脂层的表面侧的区域对该被加工物照射上述激光束,在该透明基板的内部沿着该分割预定线形成折射率或机械强度与周围不同的改质层;以及分割步骤,在实施该改质层形成步骤之后,扩展该粘接带,以该改质层为断裂起点沿着该分割预定线将该透明基板和背面侧的该第2树脂层断裂,将该被加工物分割成芯片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造