[发明专利]被加工物的加工方法有效
申请号: | 201810316110.7 | 申请日: | 2018-04-10 |
公开(公告)号: | CN108735666B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 小幡翼 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 庞东成;褚瑶杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加工 方法 | ||
1.一种被加工物的加工方法,其是板状的被加工物的加工方法,该板状的被加工物具有透明的基板、层叠在该基板的表面的第1树脂层、以及层叠在该基板的背面的第2树脂层,该第1树脂层由相互交叉的多条分割预定线划分成多个区域,该加工方法的特征在于,其具备下述步骤:
带粘贴步骤,将具有扩展性的粘接带粘贴在该被加工物的该第2树脂层上,
保持步骤,利用激光加工装置的卡盘工作台隔着该粘接带对该被加工物进行保持,
树脂层除去步骤,对该被加工物照射具有对于该第1树脂层来说为吸收性、对于该透明基板来说为透过性的波长的激光束,利用烧蚀加工沿着该分割预定线除去该第1树脂层,
改质层形成步骤,在实施该树脂层除去步骤之后,越过除去了该第1树脂层的表面侧的区域对该被加工物照射所述激光束,在该透明基板的内部沿着该分割预定线形成折射率或机械强度与周围不同的改质层,以及
分割步骤,在实施该改质层形成步骤之后,扩展该粘接带,以该改质层为断裂起点沿着该分割预定线将该透明基板和背面侧的该第2树脂层断裂,将该被加工物分割成芯片。
2.如权利要求1所述的被加工物的加工方法,其中,所述改质层由保护通道构成,该保护通道由细孔和保护该细孔的该透明基板的改质区域形成。
3.如权利要求1所述的被加工物的加工方法,其中,所述第1树脂层和第2树脂层为再布线层,该被加工物为中介层基板。
4.如权利要求2所述的被加工物的加工方法,其特征在于,该保护通道在该透明基板的表面或背面露出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造