[发明专利]半导体模块、半导体模块的底板以及半导体装置的制造方法在审
申请号: | 201810256401.1 | 申请日: | 2018-03-27 |
公开(公告)号: | CN108962834A | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 上里良宪 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/13 | 分类号: | H01L23/13;H01L23/367;H01L23/40;H01L21/50 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 齐雪娇;金玉兰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 底板 半导体模块 冷却片 凸状弯曲部 背面 半导体装置 间隔件 背面设置 层叠基板 绝缘基板 螺纹紧固 预定曲率 变形的 焊料层 散热性 接合 对置 夹入 凸状 外周 制造 | ||
1.一种半导体模块,其特征在于,具备:
层叠基板,其安装了半导体芯片;
底板,其在正面接合有所述层叠基板,并且具有向背面侧弯曲成凸状的弯曲部,该底板在所述弯曲部的顶点与冷却片接触,所述冷却片与该底板的背面对置;以及
多个贯通孔,其设置于所述底板的比所述层叠基板的接合部位更靠近外周侧的位置,从所述底板的正面向背面贯通,供将所述底板固定于所述冷却片的螺钉插入。
2.根据权利要求1所述的半导体模块,其特征在于,所述底板在所述层叠基板的接合部位具有向背面侧弯曲成凸状的所述弯曲部。
3.根据权利要求1或2所述的半导体模块,其特征在于,两个以上的所述层叠基板与所述底板接合,
所述底板在全部的层叠基板的接合部位分别具有所述弯曲部。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体模块,其特征在于,所述弯曲部的曲率是0.1×10-3/mm以上且0.4×10-3/mm以下。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的半导体模块,其特征在于,所述底板具有矩形的平面形状,
所述贯通孔分别配置于所述底板的各顶点。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的半导体模块,其特征在于,在比所述层叠基板的接合部位更靠近所述底板的外周侧的位置还具备间隔件,所述间隔件夹在所述底板与所述冷却片之间地配置。
7.根据权利要求6所述的半导体模块,其特征在于,所述间隔件在所述底板的面内配置于靠近所述贯通孔的部位。
8.根据权利要求6或7所述的半导体模块,其特征在于,所述间隔件具有包围所述贯通孔的一部分的圆弧状的平面形状。
9.根据权利要求6或7所述的半导体模块,其特征在于,所述间隔件具有包围所述贯通孔的周围的圆形的平面形状。
10.根据权利要求6~9中任一项所述的半导体模块,其特征在于,所述间隔件与所述底板一体地成形,且以预定高度从所述底板的背面突出。
11.根据权利要求6~9中任一项所述的半导体模块,其特征在于,所述间隔件与所述冷却片一体地成形,且以预定高度从所述冷却片的靠所述底板侧的表面突出。
12.根据权利要求6~9中任一项所述的半导体模块,其特征在于,所述间隔件与所述底板接合,并以预定高度从所述底板的背面突出。
13.根据权利要求6~9中任一项所述的半导体模块,其特征在于,还具备:
树脂壳体,其覆盖所述半导体芯片;和
圆筒状的固定部件,其从所述底板的正面侧被压入所述贯通孔,并在内部插入所述螺钉,
所述间隔件是所述固定部件的从所述底板的背面突出的部分。
14.根据权利要求6~13中任一项所述的半导体模块,其特征在于,在将所述弯曲部的曲率设为1/r,将所述贯通孔的间隔设为L,将所述层叠基板的列数设为n时,所述间隔件的高度h满足下述数学式(1)。
数学式(1)
15.根据权利要求6~14中任一项所述的半导体模块,其特征在于,所述间隔件的高度是10μm以上且100μm以下。
16.根据权利要求15所述的半导体模块,其特征在于,所述间隔件的高度是20μm以上且50μm以下。
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