[发明专利]一种高电子迁移率晶体管T形栅的制造方法

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管T形栅的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在半导体基板上涂布第一光阻层，对第一光阻层进行烘烤、曝光、显影、清洗形成T形栅的第一下层根部腔体；

S2、进行烘烤热变形，形成具有圆弧边角的第一下层根部腔体；

S3、在不用光罩图形的情况下，使用比第一光阻层的临界曝光能量小的能量对步骤S2中的第一下层根部腔体表面进行全曝光；

S4、涂布一层水溶性微缩层，进行所述微缩层扩散烘烤，以使光酸分子在第一光阻层表面扩散进入所述微缩层的一部分，形成表面具有扩散微缩层厚度的扩散微缩层；其中，使用微缩步骤形成更厚的光酸扩散微缩层，用于加强稳定隔离上层光刻胶从而制造出了栅极长度更小的T型栅；

S5、对所述微缩层进行水洗以去除光酸未扩散的微缩层材料；留在所述第一光阻层的扩散微缩层形成了第二下层根部腔体，第二下层根部腔体的长度小于第一根部腔体的长度；

S6、对第二下层根部腔体进行烘烤，并对第二下层根部腔体表面进行低功率离子轰击以形成表面反应聚合物隔离层；

S7、在第二下层根部腔体表面涂布第二光阻层，对第二光阻层进行烘烤、曝光、显影、清洗形成上层头部腔体；

S8、沉积栅极金属层并剥离，去除所述第一光阻层、扩散微缩层和第二光阻层，完成T型栅制备。

2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管T形栅的制造方法，其特征在于，所述全曝光使用波长为248nm的KrF激光光刻机或波长为193nm的ArF激光光刻机。