[发明专利]器件封装壳体及封装器件

说明书

本发明涉及半导体及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种器件封装壳体及封装器件，在墙体与热沉底座之间设置热膨胀系数小于所述热沉底座的热膨胀系数的金属导热层，这样使得低热膨胀系数的墙体与高热膨胀系数的热沉底座之间有一层与墙体的热膨胀系数接近的过渡金属导热层，从而解决墙体与热沉底座之间热失配的问题。在确保墙体不会因热失配问题开裂的前提下，提高整个器件封装壳体的散热能力，同时采用铜材料做热沉底座还可以降低器件封装壳体的生产成本。

技术领域

本发明涉及半导体及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种器件封装壳体及封装器件。

背景技术

随着电子元器件功率的增加，电子元器件在工作状态下产生的热量也大幅的增加，电子元器件的热流密度也随之急剧上升，正因如此，电子元器件在使用过程中，由于电子元器件自身散热不良而导致电子元器件性能下降或烧毁问题的情况也越来越多。

发明内容

本发明的目的在于提供一种器件封装壳体及封装器件。

就器件封装壳体而言，本发明提供如下技术方案：

一种器件封装壳体，包括：墙体、金属导热层及热沉底座；

所述墙体设置在所述热沉底座上，所述金属导热层设置在所述墙体与所述热沉底座之间，其中，所述金属导热层的热膨胀系数小于所述热沉底座的热膨胀系数。

通过上述设置，在低热膨胀系数的墙体与高热膨胀系数的热沉底座之间有一层与墙体的热膨胀系数接近的过渡金属导热层，从而解决墙体与热沉底座之间热失配的问题。在确保墙体不会因热失配问题开裂的前提下，提高整个器件封装壳体的散热能力。

可选地，所述金属导热层的热膨胀系数与墙体的热膨胀系数之差介于1×10^-6/℃至7×10^-6/℃之间。

可选地，所述金属导热层的热膨胀系数与所述热沉底座的热膨胀系数之差介于3×10^-6/℃至1.7×10^-5/℃之间。

可选地，所述墙体为环状框体结构，所述墙体的中空部分与所述热沉底座形成用于容置电子器件的腔室。

可选地，所述器件封装壳体还包括输入引线、输出引线、输入电极层、输出电极层，所述输入电极层及所述输出电极层通过电镀的方式设置在所述墙体远离所述热沉底座的一侧；所述输入引线焊接固定在所述输入电极层，所述输出引线焊接固定在所述输出电极层。

可选地，所述墙体、金属导热层及热沉底座通过银铜合金焊料焊接固定在一起。采用银铜合金焊料将所述墙体、金属导热层及热沉底座焊接在一起，可以使所述墙体、金属导热层及热沉底座之间能进行良好的热传导。

可选地，所述输入引线焊接固定在所述输入电极层，所述输出引线焊接固定在所述输出电极层。

可选地，所述墙体在所述金属导热层和输入电极层之间或所述金属导热层和输出电极层之间的厚度为50um-1000um，所述金属导热层的厚度为30um-500um。

可选地，所述金属导热层的形状与所述墙体朝向所述铜热沉底座一侧的侧面形状相同。

可选地，所述墙体采用陶瓷材料制造而成，所述陶瓷材料包括：三氧化二铝、氮化铝、氧化铍、氮化硼或碳化硅。

就封装器件而言，本发明实施例提供的封装器件包括电子器件及上面所述的器件封装壳体，所述电子器件封装于所述器件封装壳体内。