[发明专利]器件封装壳体及封装器件在审
| 申请号： | 201711472642.1 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109994432A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 杨琼;马浩 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 毕翔宇 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 墙体 热膨胀系数 器件封装 壳体 封装器件 热失配 半导体制造技术 低热膨胀系数 高热膨胀系数 金属导热层 封装壳体 过渡金属 降低器件 散热能力 导热层 铜材料 生产成本 半导体 | ||
1.一种器件封装壳体，其特征在于，包括：墙体、金属导热层及热沉底座；
所述墙体设置在所述热沉底座上，所述金属导热层设置在所述墙体与所述热沉底座之间，其中，所述金属导热层的热膨胀系数小于所述热沉底座的热膨胀系数。
2.如权利要求1所述的器件封装壳体，其特征在于：
所述金属导热层的热膨胀系数与所述墙体的热膨胀系数之差介于1×10-6/℃至7×10-6/℃之间。
3.如权利要求1所述的器件封装壳体，其特征在于：
所述金属导热层的热膨胀系数与所述热沉底座的热膨胀系数之差介于3×10-6/℃至1.7×10-5/℃之间。
4.如权利要求1所述的器件封装壳体，其特征在于：
所述墙体为环状框体结构，所述墙体的中空部分与所述热沉底座形成用于容置电子器件的腔室。
5.如权利要求1所述的器件封装壳体，其特征在于：
所述器件封装壳体还包括输入引线、输出引线、输入电极层、输出电极层，所述输入电极层及所述输出电极层通过电镀的方式设置在所述墙体远离所述热沉底座的一侧；所述输入引线焊接固定在所述输入电极层，所述输出引线焊接固定在所述输出电极层。
6.如权利要求1所述的器件封装壳体，其特征在于：
所述墙体、金属导热层及热沉底座通过银铜合金焊料焊接固定在一起。
7.如权利要求1-6中任意一项所述的器件封装壳体，其特征在于：
所述墙体在所述金属导热层和输入电极层之间或所述金属导热层和输出电极层之间的厚度为50um-1000um，所述金属导热层的厚度为30um-500um。
8.如权利要求1-6中任意一项所述的器件封装壳体，其特征在于：
所述金属导热层的形状与所述墙体朝向所述热沉底座一侧的侧面形状相同。
9.如权利要求1-6中任意一项所述的器件封装壳体，其特征在于：
所述墙体采用陶瓷材料制造而成，所述陶瓷材料包括：三氧化二铝、氮化铝、氧化铍、氮化硼或碳化硅。
10.一种封装器件，其特征在于：包括电子器件及权利要求1-9中任意一项所述的器件封装壳体，所述电子器件封装于所述器件封装壳体内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州能讯高能半导体有限公司，未经苏州能讯高能半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711472642.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
