[发明专利]晶圆加工装置及其工作方法在审
申请号: | 201711458599.3 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108145593A | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 田得暄;辛君;林宗贤;吴龙江 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | B24B37/10 | 分类号: | B24B37/10;B24B37/20;B24B37/005;B24B53/017 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吴敏 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆加工 研磨 安装区 修整环 晶圆 加工装置 研磨垫 研磨面 研磨头 修整 粗糙度 种晶 包围 加工 | ||
1.一种晶圆加工装置,其特征在于,包括:
研磨垫,所述研磨垫包括研磨面,用于对晶圆进行研磨;
研磨头,所述研磨头包括接触面,所述接触面包括安装区和包围所述安装区的修整区,所述安装区用于安装晶圆;
固定于所述接触面修整区的修整环,所述修整环用于对所述研磨面进行研磨,增加所述研磨面的粗糙度。
2.如权利要求1所述的晶圆加工装置,其特征在于,所述修整环包括:位于所述接触面修整区的基材和位于所述基材表面的修整涂层,所述修整涂层用于对研磨垫进行修整。
3.如权利要求1所述的晶圆加工装置,其特征在于,所述修整涂层的材料为金刚石;所述基材的材料为镍。
4.如权利要求1所述的晶圆加工装置,其特征在于,所述修整环的宽度为4cm~6cm。
5.如权利要求1所述的晶圆加工装置,其特征在于,所述修整环为圆环,所述修整环中具有沟槽,所述沟槽沿所述修整环直径方向自所述修整环外壁贯穿至所述修整环内壁。
6.如权利要求1所述的晶圆加工装置,其特征在于,还包括:第一压力控制装置,第一压力控制装置控制所述研磨头对修整环的压力;第二压力控制装置,第二压力控制装置控制晶圆对研磨垫的压力;
所述第一压力控制装置包括:连接所述研磨头的第一弹性结构,所述第一弹性结构用于通入第一气体,对所述研磨头施加第一压力;连接所述第一弹性结构的第一气体控制设备,第一气体控制设备控制所述第一弹性结构中第一气体的压强;或者,所述第一压力控制装置包括:连接所述研磨头的活塞,用于推动所述研磨头沿垂直于所述接触面的方向移动;
所述第二压力控制装置包括位于所述安装区表面的第二弹性结构,所述第二弹性结构用于与晶圆接触,所述第二弹性结构用于通入第二气体,对晶圆施加第二压力;连接所述第二弹性结构的第二气体控制设备,第二气体控制设备控制所述第二弹性结构中通入的第二气体的压强。
7.一种晶圆加工装置的工作方法,其特征在于,包括:
提供如权利要求1至权利要求6任意一项所述的晶圆加工装置;
提供晶圆,所述晶圆包括相对的处理面和背面;
将所述晶圆安装于所述安装区,使所述晶圆背面朝向所述接触面;
将所述晶圆安装于所述安装区之后,通过研磨垫对晶圆处理面进行研磨处理;
通过所述修整环对所述研磨垫进行修整处理,增加所述研磨面的粗糙度。
8.如权利要求7所述的晶圆加工装置的工作方法,其特征在于,所述研磨处理和修整处理的步骤包括:使所述晶圆处理面相对于所述研磨垫研磨面平移;
在所述平移过程中,使所述研磨垫绕所述研磨垫的中心轴旋转;所述晶圆处理面的中心经过所述研磨面中心、以及所述研磨面边缘上的任意一点。
9.如权利要求7所述的晶圆加工装置的工作方法,其特征在于,所述研磨处理和修整处理的步骤还包括:所述平移过程中,使所述研磨头沿垂直于所述接触面的直线旋转。
10.如权利要求7所述的晶圆加工装置的工作方法,其特征在于,所述晶圆加工装置还包括:第一压力控制装置,第一压力控制装置控制所述修整环对研磨垫的压力;第二压力控制装置,第二压力控制装置控制晶圆对研磨垫的压力;
在对晶圆进行研磨处理的过程中,对研磨垫进行修整处理;或者,所述研磨处理之后,对所述研磨垫进行修整处理;
当所述研磨处理之后,对所述研磨垫进行修整处理时,所述研磨处理之后,修正处理之前,还包括:使所述研磨头释放所述晶圆;或者,所述研磨处理之后,修正处理之前,所述工作方法还包括:通过所述第一压力控制装置使所述修整环对研磨垫的压力大于零;通过所述第二压力控制装置使所述晶圆与研磨垫的压力为零。
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