[发明专利]瞬间电压抑制装置

说明书

本发明实施例提供一种瞬间电压抑制装置。上述瞬间电压抑制装置包括基板、设置于基板上的第一导电型态的第一半导体层、设置于第一半导体层上的第二导电型态的第二半导体层、设置于第二半导体层中的第一导电型态的第一阱及第二阱。第二阱与第一阱相邻设置但彼此分离。上述瞬间电压抑制装置亦包括设置于第一阱与第二阱之间且延伸进入第一阱与第二阱中的第二导电型态的第一重掺杂区、设置于第一重掺杂区下的第一阱中的第一导电型态的第二重掺杂区以及设置于第一重掺杂区下的第二阱中的第一导电型态的第三重掺杂区。本发明可降低瞬间电压抑制装置的骤回电压，进一步提高二次崩溃电流。

技术领域

本发明实施例是有关于一种半导体装置，且特别有关于一种瞬间电压抑制装置。

背景技术

瞬间电压抑制(Transient voltage suppression)装置已广泛地使用于各种电子产品中，举例而言，诸如高功率装置、个人电脑、手机、以及数码相机……等。

瞬间电压抑制装置通常用于保护集成电路不受例如静电放电效应(ESD)、快速瞬态电压(或电流)或闪电等意外发生的瞬间过电压(或电流)事件而损毁。瞬间电压抑制装置在承受上述瞬间过电压(或电流)事件时，其工作阻抗可降至极低的导通值，从而可允许大电流通过，同时把电压钳制在一预定水准上。因此，瞬间电压抑制装置可以广泛地应用于通用序列总线(USB)电源线和数据线、数字视频界面、高速以太网络、笔记本电脑、显示器或平面显示器等方面，以作为电路保护元件。

然而，现有的瞬间电压抑制装置并非在各方面皆令人满意。例如：二次崩溃电流(second breakdown trigger current，It2)太低、骤回电压(Snack back voltage)太高等问题。

发明内容

本发明实施例提供一种瞬间电压抑制装置(Transient Voltage Suppressor，TVS)。上述瞬间电压抑制装置包括基板、设置于上述基板上的第一导电型态的第一半导体层以及设置于上述第一半导体层上的第二导电型态的第二半导体层。上述第二导电型态相反于上述第一导电型态。上述瞬间电压抑制装置亦包括设置于上述第二半导体层中的第一导电型态的第一阱以及设置于上述第二半导体层中的第一导电型态的第二阱。上述第二阱与上述第一阱相邻设置但彼此分离。上述瞬间电压抑制装置亦包括设置于上述第一阱与第二阱之间且延伸进入相邻两侧的上述第一阱与第二阱中的第二导电型态的第一重掺杂区、设置于上述第一重掺杂区下的上述第一阱中的第一导电型态的第二重掺杂区以及设置于上述第一重掺杂区下的上述第二阱中的第一导电型态的第三重掺杂区。

本发明实施例亦提供一种瞬间电压抑制装置。上述瞬间电压抑制装置包括基板、设置于上述基板上的第一导电型态的第一半导体层、设置于上述第一半导体层上的第二导电型态的第二半导体层。上述第二导电型态相反于上述第一导电型态。上述瞬间电压抑制装置亦包括设置于上述第二半导体层中的第一导电型态的第一阱、设置于上述第一阱中的第二导电型态的第一重掺杂区以及设置于上述第一重掺杂区下的上述第一阱中的第一导电型态的第二重掺杂区。

附图说明

以下将配合所附图式详述本发明实施例。应注意的是，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，元件的尺寸可能经放大或缩小，以清楚地表现出本发明实施例的技术特征。

图1A、图1B是绘示出本揭露一些实施例的瞬间电压抑制装置10的上视图及剖面图。

图2A、图2B是绘示出本揭露一些实施例的瞬间电压抑制装置20的上视图及剖面图。

图3A、图3B是绘示出本揭露一些实施例的瞬间电压抑制装置30的上视图及剖面图。

图4提供一些本揭露实施例的瞬间电压抑制装置的骤回电压及二次崩溃电流的数值。

附图标号

10、20、30～瞬间电压抑制装置；