[发明专利]隔离器件及其制备方法

说明书

本发明提出一种隔离器件及其制备方法，在底区上方注入形成额外注入区，额外注入区在外延层下方，额外注入区与外延层具备相同的导电类型，因此使得外延层中用于制备需被隔离的器件的盆状掺杂区内的区域，其纵向上的宽度与浓度增加，从而提高了隔离结构的穿通电压最大值；而且是在底区上方产生具备水平方向浓度梯度的额外注入区，该额外注入区的中心区的第一导电类型离子浓度大于过渡区的第一导电类型离子浓度，额外注入区具备水平方向浓度梯度又缓和了底区的浓度增加的情况，减小了底区的浓度增加对隔离器件的最大操作电压造成限制的影响；此外仅一次光刻就完成了底区和额外注入区的注入，减少了光刻数，节约制备成本。

技术领域

本发明涉及隔离器件技术领域，尤其涉及一种隔离器件及其制备方法。

背景技术

近几年隔离器件已从用于隔离低压器件延伸到用于隔离高压器件，隔离器件需求的最大操作电压也越来越高。

隔离器件包括隔离结构以及被隔离结构包围的掺杂区，需被隔离的器件在该掺杂区内制备。隔离器件的隔离需求取决于隔离器件的最大操作电压，最大操作电压越大，则需求隔离器件的耐压越高，但因为需被隔离的器件放置在该掺杂区内，因此也同时要满足隔离结构的穿通电压最大值大于隔离器件的最大操作电压。

发明内容

基于此，有必要提供一种隔离器件的制备方法。

一种隔离器件的制备方法，包括以下步骤：

提供衬底，所述衬底具备第一导电类型；

在所述衬底表面涂覆光刻胶，利用第一光刻版光刻形成第一注入窗口，通过所述第一注入窗口注入第二导电类型离子，在所述衬底内形成底区；其中，所述第二导电类型与所述第一导电类型为相反的导电类型；

以预设倾斜角度和预设扭转角度控制第一导电类型离子的注入方向，通过所述第一注入窗口注入第一导电类型离子，利用所述光刻胶的阴影效应、被注入的区域形成位于所述底区上方且具备水平方向浓度梯度的额外注入区，所述额外注入区包括中心区和所述中心区四周的过渡区，所述中心区的第一导电类型离子浓度大于所述过渡区的第一导电类型离子浓度；所述预设倾斜角度为所述第一导电类型离子的注入方向与垂直方向的夹角，所述预设扭转角度为所述第一导电类型离子的注入方向在水平面上的投影与所述底区横向上的夹角；

去除所述光刻胶，在所述衬底上、底区上和额外注入区上形成外延层，所述外延层具备第一导电类型；

再次涂覆光刻胶，利用第二光刻版光刻形成第二注入窗口，通过所述第二注入窗口向所述外延层内注入第二导电型离子，形成环绕所述额外注入区对应区域的阱区；所述阱区与所述底区一道组成盆状掺杂区，所述外延层位于所述盆状掺杂区内的区域用于制备需被隔离的器件。

上述隔离器件的制备方法，在底区上方注入形成额外注入区，额外注入区在外延层下方，额外注入区与外延层具备相同的导电类型，因此使得外延层中用于制备需被隔离的器件的盆状掺杂区内的区域，其纵向上的宽度与浓度增加，从而提高了隔离结构的穿通电压最大值；而且是在底区上方以预设倾斜角度和预设扭转角度控制第一导电类型离子的注入方向，通过利用光刻胶的阴影效应在底区上产生具备水平方向浓度梯度的额外注入区，该额外注入区的中心区的第一导电类型离子浓度大于过渡区的第一导电类型离子浓度，额外注入区又是形成于底区上方，因此额外注入区具备水平方向浓度梯度又缓和了底区的浓度增加的情况，减小了底区的浓度增加对隔离器件的最大操作电压造成限制的影响；此外仅一次光刻就完成了底区和额外注入区的注入，减少了光刻数，节约制备成本。

还提出一种隔离器件，包括：

衬底，具备第一导电类型；

底区，具备第二导电类型，设于所述衬底内；所述第二导电类型与所述第一导电类型是相反的导电类型；