[发明专利]一种存储单元的擦除方法、装置及存储器

说明书

本发明公开了一种存储单元的擦除方法、装置及存储器，所述方法包括：对擦除区域的存储单元执行擦除操作；判断对所述擦除区域的存储单元执行擦除操作的总次数是否达到设定阈值，若是，则对所述擦除区域所在存储块内的非擦除区域存储单元执行编程操作；若对所述擦除区域的存储单元执行擦除操作的总次数没有达到设定阈值，则进入擦除校验操作，以校验本次擦除操作是否成功；若本次擦除操作没有成功，则继续对所述擦除区域的存储单元执行擦除操作。通过采用上述方法可实现消除多次擦除操作对非擦除区域存储单元带来的影响，提高存储单元存储数据的稳定性。

技术领域

本发明实施例涉及存储技术领域，具体涉及一种存储单元的擦除方法、装置及存储器。

背景技术

非易失闪存介质(nor flash/nand flash)是一种很常见的存储芯片，兼有随机存储器(Random Access Memory，RAM)和只读存储器(Read-Only Memory，ROM)的优点，数据掉电不会丢失，是一种可在系统进行电擦写的存储器。其内部采用非线性宏单元模式，具有容量大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，同时它的高集成度和低成本使它成为市场主流。

图1是现有技术中非易失闪存介质的简易结构示意图，由存储单元阵列11、字线选择单元12、位线选择单元13、电荷泵14、以及控制单元15组成，其中，存储单元阵列11包括存储单元，基于每个存储单元的字线和位线排列而成。具体的，各存储单元首先分别以字线、位线连接组成页，又由多个页组成块，最终由多个块组成存储单元阵列11。对存储单元的操作通常包括三部分：擦除操作、编程(写)操作以及读操作，其中，擦除操作以块为单位进行，编程和读操作以页为单位进行。

在擦除过程中，需要对擦除区域存储单元的阱施加正电压，但由于擦除操作是以块为单位进行的，且块内同一行的所有存储单元的阱是连接在一起的，因此块内同一行非擦除区域存储单元的阱也被迫承受上述正电压。但是若对存储单元阱施加正电压，会导致存储单元阈值电压发生漂移，对于非擦除区域存储单元而言，阈值电压发生漂移会影响存储单元存储数据的稳定性。

发明内容

本发明实施例提供一种存储单元的擦除方法、装置及存储器，消除了擦除操作对非擦除区域存储单元的影响，提高了存储单元存储数据的稳定性。

第一方面，本发明实施例提供了一种存储单元的擦除方法，该方法包括：

对擦除区域的存储单元执行擦除操作；

判断对所述擦除区域的存储单元执行擦除操作的总次数是否达到设定阈值，若是，则对所述擦除区域所在存储块内的非擦除区域存储单元执行编程操作；

若对所述擦除区域的存储单元执行擦除操作的总次数没有达到设定阈值，则进入擦除校验操作，以校验本次擦除操作是否成功；

若本次擦除操作没有成功，则继续对所述擦除区域的存储单元执行擦除操作。

进一步地，所述对擦除区域的存储单元执行擦除操作之前，还包括：

判断所述擦除区域的存储单元是否处于可擦除状态，若是，则进行对擦除区域的存储单元执行擦除操作的步骤。

进一步地，所述对擦除区域的存储单元执行擦除操作，包括：

通过电荷泵向所述擦除区域存储单元的字线、阱分别施加相应的擦除电压，所述擦除区域存储单元的位线和源极悬空。

进一步地，对所述擦除区域所在存储块内的非擦除区域存储单元执行编程操作，包括：

通过电荷泵向所述非擦除区域存储单元的字线、位线分别施加相应的编程电压，所述非擦除区域存储单元的源极悬空。

进一步地，若对所述擦除区域的存储单元执行擦除操作的总次数没有达到设定阈值，则进入擦除校验操作，以校验本次擦除操作是否成功，包括：