[发明专利]一种复合材料薄膜的制备方法与QLED器件

说明书

本发明公开一种复合材料薄膜的制备方法与QLED器件，方法包括步骤：将氨基酸改性的氧化石墨烯和PEDOT:PSS溶解于有机溶剂中，得到复合材料溶液；将复合材料溶液制成薄膜，得到所述复合材料薄膜。本发明氨基酸改性的氧化石墨烯与PEDOT:PSS形成的复合材料既有较好的电学性能，又有较低的功函数，与量子点发光材料的LUMO形成较好的欧姆接触，从而提高了空穴传输性能。同时，可以有效的阻挡电子从发光层传输到阴极而导致降低了发光层的电子和空穴复合效率，从而提升了器件的整体发光与显示性能。

技术领域

本发明涉及QLED器件领域，尤其涉及一种复合材料薄膜及其制备方法与QLED器件。

背景技术

在过去许多年中，导电聚合物（PEDOT:PSS(聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)）、自组装有机分子和宽带隙真空沉积无机金属氧化物（如：MoO₃，V₂O₅，NiO等）广泛用在QLED 的空穴传输和注入材料方面。另外，特定金属氟化物，n型半导体（TiO₂，ZnO），n型有机半导体（BCP）等可以用在量子点 LED 的电子传输和注入材料方面。近来，可兼溶液相加工的金属氧化物纳米颗粒材料（MoO₃，V₂O₅，NiO）成为 QLED 空穴传输层研究的一个热点。因为这些材料的加工过程摆脱了昂贵的热蒸镀技术，并与可大规模生产的连续式卷对卷制程技术相兼容。在QLED功能层方面，一些新的可液相加工的材料和思路被开发出来。比如可水相溶解的氧化石墨烯材料，碳纳米点材料等。这些材料可以自身或者通过化学改性负载其它纳米颗粒用作电荷注入或传输材料。

氧化石墨烯是石墨烯常见的一种衍生物。因为边缘有着大量的含氧官能团，譬如羧基、羟基、环氧基等，使得氧化石墨烯在水、乙醇等溶剂里分散性较好。石墨烯或者氧化石墨烯在光电器件上是较有前景的下一代透明导电薄膜。为了得到好的器件性能，电极与活性层要有较好的能级匹配，这样能够提高电子或者空穴的传输速率。然而，氧化石墨烯的功函数大约为5.3 eV，石墨烯的功函数大约为4.7 eV，它们不能与大多数的活性材料的分子能级匹配。所以，调控石墨烯或者氧化石墨烯的功函数对于将它应用在光电器件中应用具有重要的意义。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种复合材料薄膜及其制备方法与QLED器件，旨在解决现有氧化石墨烯不能与大多数的活性材料的分子能级匹配的问题。

本发明的技术方案如下：

一种复合材料薄膜的制备方法，其中，包括步骤：

将氨基酸改性的氧化石墨烯和PEDOT:PSS溶解于有机溶剂中，得到复合材料溶液；

将复合材料溶液制成薄膜，得到所述复合材料薄膜。

所述的复合材料薄膜的制备方法，其中，所述氨基酸改性的氧化石墨烯的制备方法包括步骤：将氧化石墨烯和氨基酸溶解于有机溶剂中，使氨基酸与氧化石墨烯结合，得到氨基酸改性的氧化石墨烯。

所述的复合材料薄膜的制备方法，其中，所述氨基酸改性的氧化石墨烯的制备方法包括步骤：

将氧化石墨烯和氯乙酸钠溶解于碱性水溶液中，使氧化石墨烯和氯乙酸钠发生氧化反应得到羧基化的氧化石墨烯；

将羧基化的氧化石墨烯和酰氯化试剂混合，使羧基化的氧化石墨烯和酰氯化试剂发生取代反应得到酰氯化的氧化石墨烯；

将酰氯化的氧化石墨烯和氨基酸溶解于有机溶剂中，使氨基酸与酰氯化的氧化石墨烯结合，制得氨基酸改性的氧化石墨烯。

所述的复合材料薄膜的制备方法，其中，所述氨基酸选自丙氨酸、赖氨酸、丝氨酸、谷氨酸、半胱氨酸、苯丙氨酸、天冬氨酸、天冬酰胺、精氨酸或酪氨酸；