[发明专利]一种复合材料薄膜的制备方法与QLED器件

权利要求书

1.一种复合材料薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：

将氨基酸改性的氧化石墨烯和PEDOT:PSS溶解于有机溶剂中，得到复合材料溶液；

将复合材料溶液制成薄膜，得到所述复合材料薄膜；

其中，所述氨基酸是两性偶极子并具有氨基和羧基，通过所述氨基修饰在所述氧化石墨烯表面，所述羧基背离所述氧化石墨烯表面，使所述氧化石墨烯表面上形成一个界面偶极层。

2.根据权利要求1所述的复合材料薄膜的制备方法，其特征在于，所述氨基酸改性的氧化石墨烯的制备方法包括步骤：将氧化石墨烯和氨基酸溶解于有机溶剂中，使氨基酸与氧化石墨烯结合，得到氨基酸改性的氧化石墨烯。

3.根据权利要求1所述的复合材料薄膜的制备方法，其特征在于，所述氨基酸改性的氧化石墨烯的制备方法包括步骤：

将氧化石墨烯和氯乙酸钠溶解于碱性水溶液中，使氧化石墨烯和氯乙酸钠发生氧化反应得到羧基化的氧化石墨烯；

将羧基化的氧化石墨烯和酰氯化试剂混合，使羧基化的氧化石墨烯和酰氯化试剂发生取代反应得到酰氯化的氧化石墨烯；

将酰氯化的氧化石墨烯和氨基酸溶解于有机溶剂中，使氨基酸与酰氯化的氧化石墨烯结合，制得氨基酸改性的氧化石墨烯。

4.根据权利要求1-3任一项所述的复合材料薄膜的制备方法，其特征在于，所述氨基酸选自丙氨酸、赖氨酸、丝氨酸、谷氨酸、半胱氨酸、苯丙氨酸、天冬氨酸、天冬酰胺、精氨酸或酪氨酸；

和/或所述有机溶剂选自甲醇、乙腈、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜和N-甲基吡咯烷酮中的一种或多种。

5.根据权利要求2所述的复合材料薄膜的制备方法，其特征在于，在将氧化石墨烯和氨基酸溶解于有机溶剂中的步骤中，按所述氧化石墨烯和氨基酸的摩尔比为1:0.02-0.05，将所述氧化石墨烯和所述氨基酸溶解于有机溶剂中。

6.根据权利要求3所述的复合材料薄膜的制备方法，其特征在于，所述碱性水溶液由碱溶解于水溶液配制得到，其中所述碱选自氢氧化纳、氢氧化钾、氢氧化锂或氨水；

和/或所述酰氯化试剂选自亚硫酰氯、草酰氯、磺酰氯或氯化亚砜。

7.根据权利要求3所述的复合材料薄膜的制备方法，其特征在于，在将氧化石墨烯和氯乙酸钠溶解于碱性水溶液中的步骤中，按所述氧化石墨烯和氯乙酸钠的摩尔比为1:0.04-0.06，将所述氧化石墨烯和所述氯乙酸钠溶解于碱性水溶液中；

和/或在使氧化石墨烯和氯乙酸钠发生氧化反应得到羧基化的氧化石墨烯的步骤中，所述氧化反应的温度为20-30℃，所述氧化反应的时间为3-5h。

8.根据权利要求3所述的复合材料薄膜的制备方法，其特征在于，在将羧基化的氧化石墨烯和酰氯化试剂混合的步骤中，所述羧基化的氧化石墨烯占酰氯化试剂的浓度为2-3mg/mL；

和/或使羧基化的氧化石墨烯和酰氯化试剂发生取代反应得到酰氯化的氧化石墨烯的步骤中，所述取代反应的温度为50-70℃，所述取代反应的时间为20-25h；

和/或在将酰氯化的氧化石墨烯和氨基酸溶解于有机溶剂中的步骤中，按所述酰氯化的氧化石墨烯和氨基酸的摩尔比为1:0.02-0.05，将所述酰氯化的氧化石墨烯和所述氨基酸溶解于有机溶剂中；

和/或在使氨基酸与酰氯化的氧化石墨烯结合的步骤中，所述结合的温度为80-100℃，所述结合的时间为20-25h。

9.根据权利要求1-3任一项所述的复合材料薄膜的制备方法，其特征在于，在将氨基酸改性的氧化石墨烯和PEDOT:PSS溶解于有机溶剂中的步骤中，按所述氨基酸改性的氧化石墨烯和PEDOT:PSS的质量比为0.01-0.1:1，将所述氨基酸改性的氧化石墨烯和所述PEDOT:PSS溶解于有机溶剂中。

10.一种QLED器件，包括空穴传输层，其特征在于，所述空穴传输层为权利要求1-9任一项所述的方法制备得到的复合材料薄膜。