[发明专利]一种背光源及其制作方法有效
申请号: | 201711348030.1 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN108461611B | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 陈亮;王江波 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
主分类号: | H01L33/58 | 分类号: | H01L33/58;H01L33/60;H01L33/54;G02F1/13357 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
地址: | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 背光源 及其 制作方法 | ||
1.一种背光源,所述背光源包括芯片、封装胶体和封装支架,所述封装支架上开设有凹槽,所述芯片设置在所述凹槽的底面上,所述封装胶体填满所述凹槽内的空间,其特征在于,所述背光源还包括取光调控层和出光调控层,所述出光调控层设置在所述封装胶体上,所述取光调控层设置在所述出光调控层和所述凹槽的底面之间;
所述出光调控层包括依次层叠的多个氧化物薄膜,相邻两个所述氧化物薄膜的材料的折射率不同,各个所述氧化物薄膜的厚度基于以下公式进行设定:
其中,出光调控层对入射角度为θ0的光线的反射率为光线射入出光调控层经过的第N个氧化物薄膜的等效界面的反射系数,N为多个氧化物薄膜的数量;为光线射入出光调控层经过的第i个氧化物薄膜的等效界面的反射系数,i为整数;ri为光线射入出光调控层经过的第i个氧化物薄膜的菲涅尔系数,ηi-1和ηi+1为简化菲涅尔公式采用的系数,对p分量,对s分量,ηi=ni×cosθi;ni为光线射入出光调控层经过的第i个氧化物薄膜的材料的折射率,θi为光线射入出光调控层经过第i个氧化物薄膜时的折射角度,n0×sinθ0=ni-1×sinθi-1=ni×sinθi=ni+1×sinθi+1,n0为芯片的材料的折射率,θ0为光线射入出光调控层的入射角度;δi为光线射入出光调控层经过的第i个氧化物薄膜的位相厚度,di为光线射入出光调控层经过的第i个氧化物薄膜的厚度;
所述出光调控层对第一入射光线的反射率小于或等于设定值,且所述出光调控层对第二入射光线的反射率大于所述设定值;所述第一入射光线和所述第二入射光线为所述芯片发出并射入所述出光调控层的光线,所述第一入射光线射入所述出光调控层的入射角度在设定范围内,所述第二入射光线射入所述出光调控层的入射角度在所述设定范围外;
所述取光调控层对所述第二入射光线的反射率大于所述设定值;当所述取光调控层与所述出光调控层平行设置时,所述取光调控层朝向所述出光调控层的表面和所述出光调控层朝向所述取光调控层的表面中的至少一个为非镜面。
2.根据权利要求1所述的背光源,其特征在于,所述取光调控层设置在所述凹槽的底面上,所述取光调控层为反射层。
3.根据权利要求2所述的背光源,其特征在于,所述取光调控层还设置在所述凹槽的侧面上。
4.根据权利要求3所述的背光源,其特征在于,所述凹槽的侧面与所述凹槽的底面之间的夹角为钝角。
5.根据权利要求2所述的背光源,其特征在于,所述背光源还包括增透膜,所述增透膜设置在所述出光调控层和所述封装胶体之间。
6.根据权利要求5所述的背光源,其特征在于,所述背光源还包括承载体,所述承载体设置在所述增透膜和所述出光调控层之间。
7.根据权利要求1所述的背光源,其特征在于,所述取光调控层设置在所述封装胶体上,所述取光调控层为单向传输器件。
8.根据权利要求7所述的背光源,其特征在于,所述背光源还包括承载体,所述承载体设置在所述取光调控层和所述出光调控层之间。
9.一种背光源的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
提供设有芯片的封装支架,所述封装支架上开设有凹槽,所述芯片设置在所述凹槽的底面上;
在所述封装支架上设置封装胶体、取光调控层和出光调控层,所述封装胶体填满所述凹槽内的空间,所述出光调控层设置在所述封装胶体上,所述取光调控层设置在所述出光调控层和所述凹槽的表面之间;
其中,所述出光调控层包括依次层叠的多个氧化物薄膜,相邻两个所述氧化物薄膜的材料的折射率不同,各个所述氧化物薄膜的厚度基于以下公式进行设定:
其中,出光调控层对入射角度为θ0的光线的反射率为光线射入出光调控层经过的第N个氧化物薄膜的等效界面的反射系数,N为多个氧化物薄膜的数量;为光线射入出光调控层经过的第i个氧化物薄膜的等效界面的反射系数,i为整数;ri为光线射入出光调控层经过的第i个氧化物薄膜的菲涅尔系数,ηi-1和ηi+1为简化菲涅尔公式采用的系数,对p分量,对s分量,ηi=ni×cosθi;ni为光线射入出光调控层经过的第i个氧化物薄膜的材料的折射率,θi为光线射入出光调控层经过第i个氧化物薄膜时的折射角度,n0×sinθ0=ni-1×sinθi-1=ni×sinθi=ni+1×sinθi+1,n0为芯片的材料的折射率,θ0为光线射入出光调控层的入射角度;δi为光线射入出光调控层经过的第i个氧化物薄膜的位相厚度,di为光线射入出光调控层经过的第i个氧化物薄膜的厚度;
所述出光调控层对第一入射光线的反射率小于或等于设定值,且所述出光调控层对第二入射光线的反射率大于所述设定值;所述第一入射光线和所述第二入射光线为所述芯片发出并射入所述出光调控层的光线,所述第一入射光线射入所述出光调控层的入射角度在设定范围内,所述第二入射光线射入所述出光调控层的入射角度在所述设定范围外;
所述取光调控层对所述第二入射光线的反射率大于所述设定值,当所述取光调控层设置在一个平面上时,所述取光调控层朝向所述出光调控层的表面和所述出光调控层朝向所述取光调控层的表面中的至少一个为非镜面。
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