[发明专利]有机发光显示装置以及用于制造有机发光显示装置的方法有效
申请号: | 201711214041.0 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN108122954B | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | 朴泰翰 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陈炜;杜诚 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 以及 用于 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示OLED装置,包括:
像素,所述像素具有第一子像素、第二子像素和第三子像素,
其中,所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每个包括:
第一电极;
有机发光层,所述有机发光层布置在所述第一电极上;
第二电极,所述第二电极包括布置在所述有机发光层上的透明金属材料;
封装膜,所述封装膜用于覆盖所述第二电极,所述封装膜具有平面上表面;
光反应性有机膜,所述光反应性有机膜布置在所述封装膜上;
第一光学辅助层,所述第一光学辅助层被布置成在第一子像素区中的光反应性有机膜上与所述第一子像素叠加,所述第一光学辅助层具有第一厚度;
第二光学辅助层,所述第二光学辅助层被布置成在第二子像素区中的光反应性有机膜上与所述第二子像素叠加,所述第二光学辅助层具有大于所述第一厚度的第二厚度;
第三光学辅助层,所述第三光学辅助层被布置成在第三子像素区中的光反应性有机膜上与所述第三子像素叠加,所述第三光学辅助层具有大于所述第二厚度的第三厚度;
半透射电极,所述半透射电极布置在所述第一光学辅助层、所述第二光学辅助层和所述第三光学辅助层中的每个上;
外涂层,所述外涂层被布置在所述半透射电极上,以对由第一光学辅助层、所述第二光学辅助层和所述第三光学辅助层引起的阶梯差异区域进行平坦化;
第一滤色器,所述第一滤色器被布置成在所述外涂层上与所述第一子像素叠加,所述第一滤色器具有恒定的厚度;
第二滤色器,所述第二滤色器被布置成在所述外涂层上与所述第二子像素叠加,所述第二滤色器具有所述恒定的厚度;以及
第三滤色器,所述第三滤色器被布置成在所述外涂层上与所述第三子像素叠加,所述第三滤色器具有所述恒定的厚度;
其中,在所述第一子像素中的第一电极与半透射电极之间的第一距离、在所述第二子像素中的第一电极与半透射电极之间的第二距离以及在所述第三子像素中的第一电极与半透射电极之间的第三距离彼此不同。
2.根据权利要求1所述的OLED装置,其中,所述光反应性有机膜包括二芳基乙烯类分子。
3.根据权利要求1所述的OLED装置,其中,所述第一光学辅助层、所述第二光学辅助层和所述第三光学辅助层中的每个由包含透明金属材料的层组成。
4.一种用于制造OLED装置的方法,所述OLED装置包括像素,所述像素具有第一子像素、第二子像素和第三子像素,所述方法包括:
在第一基板上的第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区中分别形成第一电极,所述第一电极中的每个彼此电绝缘;
在所述第一电极上形成有机发光层;
在所述有机发光层上形成第二电极;
在所述第二电极上形成封装膜,所述封装膜具有平面上表面;
形成布置在所述封装膜上的光反应性有机膜;
在所述第一子像素区中的光反应性有机膜上形成具有第一厚度的第一光学辅助层,所述第一光学辅助层被布置成与所述第一子像素叠加;
在所述第二子像素区中的光反应性有机膜上形成具有大于所述第一厚度的第二厚度的第二光学辅助层,所述第二光学辅助层被布置成与所述第二子像素叠加;以及
在所述第三子像素区中的光反应性有机膜上形成具有大于所述第二厚度的第三厚度的第三光学辅助层,所述第三光学辅助层被布置成与所述第三子像素叠加;
在所述第一光学辅助层、所述第二光学辅助层和所述第三光学辅助层上形成半透射电极;
在所述半透射电极上形成外涂层,以对由所述第一光学辅助层、所述第二光学辅助层和所述第三光学辅助层引起的阶梯差异区域进行平坦化;
在所述第一子像素区中的外涂层上形成第一滤色器,所述第一滤色器具有恒定的厚度;
在所述第二子像素区中的外涂层上形成第二滤色器,所述第二滤色器具有恒定的厚度;以及
在所述第三子像素区中的外涂层上形成第三滤色器,所述第三滤色器具有恒定的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的