[发明专利]一种金属互连结构的制备工艺在审
| 申请号： | 201711194489.0 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN107993979A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 高晶;叶伟;毛晓明;胡小龙;梁双;苏林 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 互连 结构 制备 工艺 | ||
1.一种金属互连结构的制备工艺，其特征在于包括以下步骤：
在层间介质层形成沟道；
沉积氮化物间隙层；
刻蚀去除水平方向的氮化物间隙层；
沉积金属互连层；
平坦化金属互连层，并露出氮化物间隙层；
刻蚀去除氮化物间隙层以形成空气隙；
沉积阻挡层以覆盖层间介质层和金属互连层。
2.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：
所述氮化物间隙层为氮化硅。
3.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：所述在层间介质层形成沟道，采用自对准双重图形(Self-Aligned Double Patterning，简称SADP)工艺，并且其形成的侧墙(Spacer)厚度为1/4最小间距(Pitch)。
4.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：
所述沉积氮化物间隙层，采用原子层沉积(ALD)工艺。
5.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：
所述刻蚀去除水平方向的氮化物间隙层，采用各向异性的无阻挡层干法刻蚀(Blanket Dry Etch)工艺。
6.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：
所述金属为铜(Cu)。
7.根据权利要求6所述的制备工艺，其特征在于：
所述沉积金属互连层，包括，首先采用物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，简称PVD)工艺沉积一层籽晶层，随后采用电化学镀(Electrochemical Plating，简称ECP)工艺沉积金属铜并充满沟道。
8.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：
所述平坦化金属互连层，采用化学机械研磨工艺(CMP)。
9.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：
所述刻蚀去除氮化物间隙层以形成空气隙，采用磷酸溶液的湿法刻蚀工艺；
10.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：
所述阻挡层为氮化物。
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