[发明专利]逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法、电力电子设备

权利要求书

1.一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括集电极金属、位于所述集电极金属前侧且交替排列的第一P型集电区和N型集电区，以及对应设置在每个所述N型集电区前侧的第二P型集电区，所述第二P型集电区与所述N型集电区相对设置，所述集电极金属通过贯穿所述N型集电区的接触孔槽与所述第二P型集电区连接；

所述N型集电区包括位于相邻两个所述第一P型集电区之间的第一部分，以及位于所述第一P型集电区和所述第二P型集电区之间的第二部分，所述接触孔槽贯穿所述第一部分和所述第二部分。

2.如权利要求1所述的逆导型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述N型集电区包括位于相邻两个所述第一P型集电区之间的第一部分，以及位于所述第一P型集电区和所述第二P型集电区之间的第二部分，所述接触孔槽贯穿所述所述第一部分和所述第二部分。

3.如权利要求1所述的逆导型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，还包括位于所述第一P型集电区和所述第二P型集电区前侧的N型缓冲层。

4.一种电力电子设备，其特征在于，包括如权利要求1～3任一项任一项所述的逆导型绝缘栅双极型晶体管。

5.一种如权利要求1所述逆导型绝缘栅双极型晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

对N型半导体衬底背侧预形成第二P型集电区的区域进行P型掺杂注入处理，形成P型掺杂注入区；

对完成上述步骤的半导体片背侧预形成第二P型集电区的区域进行N型掺杂注入处理，形成N型掺杂注入区；完成该步骤后，P型掺杂注入区调整为第二P型集电区；

对完成上述步骤的半导体片背侧预形成第一P型集电区的区域进行P型掺杂注入处理，形成第一P型集电区；完成该步骤后，N型掺杂注入区调整为N型集电区；

对完成上述步骤的半导体片背侧进行刻蚀，形成贯穿N型集电区并通向第二P型集电区的接触孔槽；

在完成上述步骤的半导体片背侧形成通过接触孔槽与第二P型集电区连接的集电极金属。

6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，当所述N型集电区包括位于相邻两个所述第一P型集电区之间的第一部分，以及位于所述第一P型集电区和所述第二P型集电区之间的第二部分，所述接触孔槽贯穿所述所述第一部分和所述第二部分时：

所述对完成上述步骤的半导体片背侧预形成第一P型集电区的区域进行P型掺杂注入处理的步骤中，所使用掩模板的遮挡区与所述第一部分位置对应。

7.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述对N型半导体衬底背侧预形成第二P型集电区的区域进行P型掺杂注入处理的步骤之前，所述制作方法还包括：

对N型半导体衬底背侧进行减薄处理。

8.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，

在所述对N型半导体衬底背侧预形成第二P型集电区的区域进行P型掺杂注入处理的步骤之前，所述制作方法还包括：

在N型半导体衬底背侧形成N型缓冲层。