[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板有效
申请号: | 201711031125.0 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN107768241B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 刘军;黄勇潮;周斌;苏同上;程磊磊 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/786 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 胡艳华;李丹 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 显示 面板 | ||
本发明实施例公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板,其中,该方法包括:形成金属薄膜;在金属薄膜上沉积保护薄膜;将暴露于保护薄膜外的金属进行刻蚀处理,以消除暴露于保护薄膜外的金属;剥离保护薄膜,本发明提供的技术方案通过在金属薄膜上沉积保护薄膜,使得金属薄膜表面高度较高的小丘处无法连续沉积而断裂露出小丘,继而对暴露于保护薄膜外的金属进行刻蚀,消除金属薄膜表面存在的小丘,提高了薄膜晶体管的性能和良品率。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,具体涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板。
背景技术
随着显示技术的不断发展,有机电致发光显示面板和液晶显示面板等平板显示面板发展迅速。
以液晶显示面板为例,液晶显示面板包括阵列基板,阵列基板包括:基底、位于基底上的薄膜晶体管以及像素电极,其中薄膜晶体管中包括有源层、栅电极、源电极和漏电极,其中,在薄膜晶体管的制作工艺中,栅电极、源电极和漏电极均是由铝薄膜上通过包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离等工艺的构图工艺形成的。
目前,大尺寸电视面板越来越成为目前电视主流,由于面板大尺寸化趋势,为了满足电学性能,栅电极和源漏电极需要沉积得越来越厚。经发明人研究发现,铝本身沉积过程中的电迁移会导致铝薄膜的表面出现小丘(hillock),使其表面变得不平整,严重时会刺穿绝缘层,使得栅电极和源漏电极短路,降低了薄膜晶体管的性能和良品率。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板,以避免铝薄膜表面出现小丘导致的薄膜晶体管的性能和良品率较低的技术问题。
一个方面,本发明实施例提供了一种薄膜晶体管的制作方法,包括:
形成金属薄膜;
在所述金属薄膜上沉积保护薄膜;
将暴露于所述保护薄膜外的金属进行刻蚀处理;
剥离所述保护薄膜。
可选地,所述形成金属薄膜包括:
在基底上沉积第一金属薄膜,或者在基底上依次沉积第一金属薄膜和第二金属薄膜。
可选地,第一金属薄膜的材料包括:铝,第一金属薄膜的厚度为400-700纳米;
第二金属薄膜的材料包括:钼,第二金属薄膜的厚度为10-20纳米。
可选地,所述保护薄膜的材料包括:光刻胶或者氧化硅。
可选地,所述保护薄膜的厚度为20-40纳米。
可选地,将暴露于所述保护薄膜外的金属进行刻蚀处理包括:
采用湿法刻蚀溶液对暴露于所述保护薄膜外的金属进行湿法刻蚀处理。
可选地,所述湿法刻蚀溶液包括:硝酸、磷酸和醋酸。
可选地,所述剥离所述保护薄膜之后,所述方法还包括:通过构图工艺形成电极;
其中,所述电极包括:栅电极和/或源漏电极。
另一方面,本发明实施例还提供一种薄膜晶体管,采用薄膜晶体管的制作方法制作而成。
另一方面,本发明实施例还提供一种显示面板,包括薄膜晶体管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711031125.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造