[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法

说明书

公开了一种有机发光显示装置及其制造方法，该有机发光显示装置可包括：基板，该基板具有有源区和焊盘区；钝化层，该钝化层设置在所述基板的所述有源区上；阳极电极，该阳极电极设置在所述钝化层上；堤状物层，该堤状物层用于限定所述阳极电极上的像素区；有机发光层，该有机发光层设置在所述堤状物层上并且与所述阳极电极连接；阴极电极，该阴极电极设置在所述有机发光层上；以及辅助电极，该辅助电极与所述阴极电极电连接并且设置在所述钝化层下方，其中，在所述钝化层中设置用于暴露所述辅助电极的接触孔，以及所述阴极电极经由所述接触孔与所述下辅助电极的上表面接触。

技术领域

本发明的实施方式涉及有机发光显示装置，并且更具体地，涉及顶部发射型有机发光显示装置及其制造方法。

背景技术

作为自发光显示装置的有机发光显示(OLED)装置具有低功耗、快速响应速度、高发射效率、高亮度和广视角的优点。

根据从有机发光装置发射的光的方向，OLED装置可被主要分类为顶部发射型和底部发射型。在底部发射型的情况下，电路装置设置在发射层和图像显示表面之间，由此开口率会由于电路装置而降低。此外，在顶部发射型的情况下，电路装置没有设置在发射层和图像显示表面之间，由此开口率会提高。

图1是相关技术的顶部发射型OLED装置的截面图。

如图1中所示，在基板10上设置包括有源层11、栅绝缘膜12、栅极13、绝缘隔层14、源极15和漏极16的薄膜晶体管层(T)，然后，顺序地在薄膜晶体管层(T)上设置钝化层20和平整层30。

另外，在平整层30上设置阳极电极40和辅助电极50。设置辅助电极50用于减小随后将说明的阴极电极80的电阻。

在阳极电极40和辅助电极50上，设置堤状物60，以限定像素区。另外，在由堤状物60限定的像素区中设置有机发光层70，并且在有机发光层70上设置阴极电极80。

在顶部发射型的情况下，从有机发光层70发射的光穿过阴极电极80。为此原因，阴极电极80由致使其中电阻增大的透明导电材料形成。为了减小阴极电极80中的电阻，将阴极电极80与辅助电极50连接。

为了将阴极电极80与辅助电极50连接，辅助电极50的上表面没有被有机发光层70覆盖。也就是说，在形成有机发光层70的处理之后，辅助电极50的上表面暴露于外部，使得阴极电极80与辅助电极50的上表面连接。在相关技术的情况下，在辅助电极50的上表面上设置倒锥形隔板65，以防止辅助电极50的上表面被有机发光层70覆盖。

由于倒锥形隔板65，在堤状物60和隔板65之间设置间隔空间。在这种情况下，倒锥形隔板65用作屋檐(eave)，使得有机发光层70没有沉积在间隔空间中。也就是说，通过使用具有优异平直度的沉积材料进行的沉积处理(例如，蒸发处理)来形成有机发光层70。如果隔板65在有机发光层70的沉积处理期间用作屋檐，则有机发光层70没有沉积在堤状物60和隔板65之间的间隔空间中。

此外，可通过使用具有不良平直度的沉积材料进行的沉积处理(例如，溅射处理)来形成阴极电极80。因此，阴极电极80可沉积在堤状物60和隔板65之间的间隔空间中，由此阴极电极80和辅助电极50可彼此电连接。

然而，不可避免地包括倒锥形部分65的相关技术的顶部发射型OLED装置会造成以下不足。

应该执行PEB(曝光后烘烤)处理，以便将倒锥形部分65图案化。PEB处理非常复杂，使得难以得到所期望的倒锥形形状。如果倒锥形结构没有形成为所期望形状，则隔板65会垮塌或剥离。在这种情况下，难以将阴极电极80和辅助电极50彼此电连接。

发明内容

因此，本发明的实施方式涉及基本上消除了由于相关技术的限制和缺点导致的一个或更多个问题的顶部发射型有机发光显示装置及其制造方法。