[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光显示OLED装置，该OLED装置包括：

基板，该基板具有有源区和焊盘区；

钝化层，该钝化层设置在所述基板的所述有源区上；

阳极电极，该阳极电极设置在所述钝化层上；

堤状物层，该堤状物层用于限定所述阳极电极上的像素区；

有机发光层，该有机发光层设置在所述堤状物层上并且与所述阳极电极连接；

阴极电极，该阴极电极设置在所述有机发光层上；以及

辅助电极，该辅助电极与所述阴极电极电连接并且设置在所述钝化层下方，

其中，在所述钝化层中设置用于暴露所述辅助电极的接触孔，

所述阴极电极经由所述接触孔与所述辅助电极的上表面接触，

所述堤状物层沿着所述接触孔内的所述钝化层的横向表面延伸到所述接触孔的底部，并且

所述有机发光层沿着所述堤状物层延伸到所述接触孔的所述底部。

2.根据权利要求1所述的OLED装置，其中，所述辅助电极包括下辅助电极和上辅助电极，并且，

所述阴极电极经由所述接触孔与所述下辅助电极的上表面接触。

3.根据权利要求2所述的OLED装置，其中，所述下辅助电极的延伸部分在所述接触孔的方向上比所述上辅助电极的延伸部分相对更长，并且所述阴极电极与所述下辅助电极的延伸部分的上表面接触。

4.根据权利要求3所述的OLED装置，其中，在所述钝化层的一端下方制备没有设置所述上辅助电极的接触间隔，并且使延伸到所述接触间隔的所述阴极电极与所述下辅助电极的上表面接触。

5.根据权利要求2所述的OLED装置，其中，所述下辅助电极由不能够被用于蚀刻所述阳极电极的蚀刻剂所蚀刻的材料形成，并且所述上辅助电极由能够被用于蚀刻所述阳极电极的蚀刻剂所蚀刻的材料形成。

6.根据权利要求1所述的OLED装置，该OLED装置还包括位于所述钝化层和所述阳极电极之间的平整层，

其中，所述平整层包括用于暴露所述辅助电极的一部分的附加接触孔。

7.根据权利要求2所述的OLED装置，

其中，所述有机发光层与所述接触孔内的所述下辅助电极的上表面的一些区域接触。

8.根据权利要求2所述的OLED装置，该OLED装置还包括薄膜晶体管TFT，所述薄膜晶体管TFT包括设置在所述阳极电极下方的源极和漏极以及在所述基板上的栅极，所述源极与所述阳极电极连接，其中，所述辅助电极与所述源极和所述漏极设置在同一层中，并且由与所述源极和所述漏极相同的材料形成。

9.根据权利要求2所述的OLED装置，该OLED装置还包括低电压线VSS，所述低电压线VSS设置在所述辅助电极下方并且经由另一接触孔与所述辅助电极连接。

10.根据权利要求9所述的OLED装置，该OLED装置还包括薄膜晶体管TFT以及遮光层，所述薄膜晶体管TFT包括设置在所述阳极电极下方的源极和漏极以及在所述基板上的栅极，所述遮光层包括设置在所述TFT下方的下遮光层和上遮光层，所述源极与所述阳极电极连接，

其中，所述低电压线VSS设置在与所述遮光层相同的层中，并且由与所述遮光层相同的材料形成。

11.根据权利要求10所述的OLED装置，其中，所述遮光层与所述源极连接。

12.根据权利要求8或10所述的OLED装置，其中，所述栅极包括下栅极和上栅极，所述源极包括下源极和上源极，并且所述漏极包括下漏极和上漏极。

13.根据权利要求8或10所述的OLED装置，其中，所述源极、所述漏极和所述辅助电极是由同一工艺制造的。