[发明专利]半导体装置的形成方法有效
| 申请号： | 201710851840.2 | 申请日： | 2017-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN108122830B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 陈乃嘉;郭研究;郑宇利;赵俊泓;周俊利 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
半导体装置与其形成方法包括将蚀刻停止层置于导电单元上，且蚀刻停止层的材料可为氧化铝。将介电层置于蚀刻停止层上，并将硬遮罩置于介电层上。硬遮罩层的材料可为氮化钛。形成开口至蚀刻停止层，选择性地移除硬遮罩材料，接着选择性地移除蚀刻停止层的材料，使开口延伸穿过蚀刻停止层。
技术领域
本发明实施例关于半导体装置的形成方法。
背景技术
半导体装置已用于多种电子应用，比如个人电脑、手机、数位相机、与其他电子设备。一般而言，半导体装置的制备工艺为依序沉积绝缘或介电层、导电层、与半导体的材料于半导体基板上，并以微影与蚀刻工艺图案化多种材料层，以形成电路构件与单元于其上。
半导体产业持续缩小最小结构尺寸，以持续改良多种电子构件如晶体管、二极体、电阻、电容、或类似物的积体密度，使更多构件整合至单位面积中。然而在缩小最小结构尺寸时，每一工艺将产生更多问题以待解决。
发明内容
本发明一实施例提供的半导体装置的形成方法，包括：形成开口穿过硬遮罩层与介电层，其中开口露出蚀刻停止层；选择性地移除硬遮罩层，且实质上不移除蚀刻停止层的材料；以及在移除硬遮罩层后，选择性地移除部份蚀刻停止层。
附图说明
图1系一些实施例中，图案化介电层以形成沟槽开口的图式。
图2系一些实施例中，图案化介电层以形成通孔开口的图式。
图3系一些实施例中，移除硬遮罩的图式。
图4系一些实施例中，延伸通孔开口以穿过蚀刻停止层的图式。
图5系一些实施例中，形成内连线的图式。
其中，附图标记说明如下：
D1 第一深度
D3 第三深度
T1 第一厚度
T2 第二厚度
W1 第一宽度
W2 第二宽度
W3 第三宽度
W4 第四宽度
Wv 通孔宽度
101 基板
103 金属化层
105 导电单元
107 第一蚀刻停止层
109 第二蚀刻停止层
111 第一介电层
113 抗反射层
115 第一硬遮罩
118 第一光阻
119 沟槽开口
121 第一蚀刻工艺
123 第二开口
201 第二蚀刻工艺
203 第二光阻
205 通孔开口
206 通孔底部
207 通孔颈部
301 第一湿蚀刻工艺
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710851840.2/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成电路结构及其形成方法
- 下一篇：形成保护层以防止形成泄漏路径
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
