[发明专利]晶圆加工机及其加工处理方法有效
申请号: | 201710599344.2 | 申请日: | 2017-07-21 |
公开(公告)号: | CN107507788B | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 杨辰隆 | 申请(专利权)人: | 志圣科技(广州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301 | 代理人: | 郑玉洁 |
地址: | 510850 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加工 及其 处理 方法 | ||
1.一种晶圆加工机,其特征在于,包括:
一机械手臂;
至少一工作站,每一工作站具有至少一传感器监测该工作站的工作状况产生一正常状态信号或一异常状态信号;
一控制装置,与该机械手臂及这些工作站连接,且接收各工作站的传感器传出的正常状态信号或异常状态信号,并根据该异常状态信号产生一回收信号控制该机械手臂先回收发出正常状态信号的工作站内的一晶圆,再回收发出异常状态信号的工作站内的另一晶圆;
该控制装置包括:
一输入单元,用以接收该正常状态信号或该异常状态信号;
一判断单元,根据这些正常状态信号判断所有处于正常状态下工作站目前的工作状态剩余时间、内部剩余空间及内部空间温度产生一判断结果;
一规划单元,由该判断结果规划晶圆回收的优先级并产生一规划结果;
一驱动单元,将该规划结果转换成该回收信号;
一输出单元,用以输出该回收信号;
一储存单元,用以保存该规划结果及储存晶圆的回收记录。
2.如权利要求1所述的晶圆加工机,其特征在于,该传感器为压力传感器、温度传感器或真空度传感器其中任一个或组合。
3.如权利要求1所述的晶圆加工机,其特征在于,还具有一总回收站,所述总回收站具有一容置空间用以容置回收后的所有晶圆。
4.如权利要求3所述的晶圆加工机,其特征在于,该容置空间大于或等于所有工作站的作业空间总和。
5.如权利要求1所述的晶圆加工机,其特征在于,还具有一异常警报器与该控制装置连接且产生一异常警告信号。
6.如权利要求1所述的晶圆加工机,其特征在于,该控制装置为一计算机。
7.一种晶圆加工处理方法,其特征在于,包括:
每一工作站的传感器监测工作站的工作状态产生一正常状态信号或一异常状态信号;
通过一控制装置接收各工作站的传感器传出的正常状态信号或异常状态信号;
该控制装置是否收到至少一个异常状态信号;
若是,该控制装置产生一回收信号控制一机械手臂执行一晶圆回收程序;
若否,该控制装置产生一驱动信号控制一机械手臂执行一正常工作程序;
这些正常状态信号由该控制装置内的一判断单元及一规划单元及一驱动单元加以判断分析后产生该回收信号,该判断单元判读正常状态信号后确定各个正常状态下的工作站当前工作状况并产生一判断结果,所述判断结果由该规划单元加以分析,并根据各个正常状态下的工作站当前的工作剩余时间产生一规划结果,该驱动单元将该规划结果转换成对应的回收信号;
或者,这些正常状态信号由该控制装置内的一判断单元及一规划单元及一驱动单元加以判断分析后产生该回收信号,该判断单元判读正常状态信号后确定各个正常状态下的工作站内部剩余空间并产生一判断结果,所述判断结果由该规划单元加以分析,并根据各个正常状态下的工作站当前的晶圆温度产生一规划结果,该驱动单元将该规划结果转换成对应的回收信号;
或者,这些正常状态信号由该控制装置内的一判断单元及一规划单元及一驱动单元加以判断分析后产生该回收信号,该判断单元判读正常状态信号后确定各个正常状态下的工作站设备是否良好并产生一判断结果,所述判断结果由该规划单元加以分析,并根据各个正常状态下的工作站当前的晶圆价值产生一规划结果,该驱动单元将该规划结果转换成对应的回收信号。
8.如权利要求7所述的晶圆加工处理方法,其特征在于,该传感器监测这些工作站的压力状态、温度状态或真空度状态其中任一个或多个。
9.如权利要求7所述的晶圆加工处理方法,其特征在于,还包括:回收后的晶圆集中至一总回收站内加以保存。
10.如权利要求7所述的晶圆加工处理方法,其特征在于,该晶圆回收程序包括:
该机械手臂先回收发出正常状态信号的工作站内的一晶圆;
该机械手臂再回收发出异常状态信号的工作站内的另一晶圆。
11.如权利要求7所述的晶圆加工处理方法,其特征在于,还包括:
该控制装置通过一异常警报器产生一异常警告信号,且该控制装置同时进行一计时程序;
该控制装置判断该计时程序结束前工作站异常状态是否排除。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造