[发明专利]铜蒸发料的表面处理方法

说明书

本发明提供一种铜蒸发料的表面处理方法，包括：提供铜蒸发料；对所述铜蒸发料进行第一酸洗操作；在所述第一酸洗操作后，对所述铜蒸发料进行离心研磨操作；在所述离心研磨操作后，对所述铜蒸发料进行清洗操作；在所述清洗操作后，对所述铜蒸发料进行干燥处理。在第一酸洗操作后，对铜蒸发料进行离心研磨操作，所述离心研磨操作能够去除所述铜蒸发料表面的铜氧化物、降低所述铜蒸发料的表面粗糙度、提高所述铜蒸发料的表面光亮度和光滑度、减少所述铜蒸发料的表面微孔，从而降低所述铜蒸发料与空气的接触面积，提高所述铜蒸发料的抗氧化能力，进而提高所述铜蒸发料的纯度，相应提高所述铜蒸发料的质量和性能，使镀膜质量得到提高。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种铜蒸发料的表面处理方法。

背景技术

物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)是一种在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材或蒸发料蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发物质以及反应物沉积在基板上。目前，PVD技术已成为半导体芯片制造业、太阳能行业、LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)制造业等多种行业的核心技术。

PVD技术主要包括溅射技术和蒸发镀膜技术。其中，在真空环境中，将蒸发料加热、蒸发，并镀到基板上的技术称为蒸发镀膜技术。目前，由于蒸发镀膜技术具有应用范围广、污染程度小等优点，越来越被业内的技术人员所青睐。

半导体集成电路用的铜蒸发料是晶圆背金技术不可或缺的原料，但是，现有技术铜蒸发料的质量和性能较差，从而导致镀膜质量的下降。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种铜蒸发料的表面处理方法，提高铜蒸发料的质量和性能。

为解决上述问题，本发明提供一种铜蒸发料的表面处理方法，包括：提供铜蒸发料；对所述铜蒸发料进行第一酸洗操作；在所述第一酸洗操作后，对所述铜蒸发料进行离心研磨操作；在所述离心研磨操作后，对所述铜蒸发料进行清洗操作；在所述清洗操作后，对所述铜蒸发料进行干燥处理。

可选的，所述第一酸洗操作的步骤包括：采用第一酸洗溶液对所述铜蒸发料进行第一酸洗；在对所述铜蒸发料进行第一酸洗后，采用纯水对所述铜蒸发料进行第一超声波清洗。

可选的，所述第一酸洗溶液为稀硝酸溶液。

可选的，所述稀硝酸溶液的体积浓度为20％至40％，所述第一酸洗的酸洗时间为1分钟至2分钟。

可选的，所述第一超声波清洗的清洗时间为10分钟至15分钟。

可选的，对所述铜蒸发料进行离心研磨操作的步骤包括：提供离心研磨机，所述离心研磨机包括研磨桶；将所述铜蒸发料置于所述研磨桶中；向所述研磨桶中加入研磨液；向置有所述铜蒸发料和研磨液的研磨桶中加入水；加入水后，将所述研磨桶装入研磨机内，对所述铜蒸发料进行离心研磨。

可选的，所述铜蒸发料的体积占所述研磨桶的容积的比例小于或等于2/3。

可选的，所述铜蒸发料的体积占所述研磨桶的容积的比例为1/3至2/3。

可选的，所述研磨液为含有椰油二乙醇酰胺的洗涤剂。

可选的，所述研磨液为洗洁精或洗手液。

可选的，所述研磨液的体积为10毫升至20毫升。

可选的，在所述离心研磨的步骤中，所述研磨桶的转速为150转/分钟至170转/分钟，研磨时间为10分钟至15分钟。

可选的，向置有所述铜蒸发料和研磨液的研磨桶中加入水后，水面至所述研磨桶顶部的距离为1厘米至2厘米。