[发明专利]激光加工装置和GaN晶片的生成方法

说明书

提供激光加工装置和GaN晶片的生成方法，能够高效地将GaN锭切断而生成GaN晶片。一种激光加工装置，从GaN锭生成GaN晶片，其中，该激光加工装置包含激光束照射单元，该激光束照射单元照射对于保持在卡盘工作台上的GaN锭具有透过性的波长的激光束。该激光束照射单元包含振荡出激光束的激光振荡器，该激光振荡器包含：激光光源，其振荡出高频的脉冲激光；间疏部，其按照规定的重复频率对该激光光源振荡出的高频脉冲进行间疏而将多个该高频脉冲作为子脉冲来生成1突发脉冲；以及放大器，其对所生成的该突发脉冲进行放大。

技术领域

本发明涉及激光加工装置和GaN晶片的生成方法，用于从GaN锭生成GaN晶片。

背景技术

通过切割装置、激光加工装置将由分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件的Si(硅)晶片分割成各个器件芯片，分割得到的器件芯片被应用在移动电话、个人计算机等电子设备中。

并且，由于GaN(氮化镓)的带隙是Si的3倍宽，所以在形成功率器件、LED等器件时使用GaN晶片，公知使用刃厚能够比外周刃薄的内周刃将该GaN晶片从GaN锭切断(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2011-84469号公报

然而，即使使用内周刃从GaN锭切出晶片，由于相对于GaN晶片的厚度(例如为150μm)，内周刃的厚度例如也有0.3mm左右，所以GaN锭的60～70％在切削时被削去而舍弃，存在不经济的问题。

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供激光加工装置和GaN晶片的生成方法，能够高效地将GaN锭切断而生成GaN晶片。

根据本发明的一个侧面，提供激光加工装置，其适用于从GaN锭生成GaN晶片，其中，该激光加工装置具有：卡盘工作台，其对锭进行保持；以及激光束照射单元，其照射对于保持在该卡盘工作台上的GaN锭具有透过性的波长的激光束，该激光束照射单元包含：激光振荡器，其振荡出激光束；以及聚光器，其将该激光振荡器振荡出的激光束的聚光点定位在GaN锭的内部而进行照射，在深度相当于要生成的GaN晶片的厚度的界面形成破坏层，该激光振荡器包含：激光光源，其振荡出高频的脉冲激光；间疏部，其按照规定的重复频率对该激光光源振荡出的高频脉冲进行间疏而将多个该高频脉冲作为子脉冲来生成1个突发脉冲；以及放大器，其对所生成的该突发脉冲进行放大。

优选该间疏部进行间疏以便将2个～10个之中使破坏层在该聚光点所定位的该界面位置延伸得最长的子脉冲的个数设定为构成1个突发脉冲的子脉冲的个数而生成突发脉冲，特别优选该使破坏层延伸得最长的子脉冲的个数为3个。

根据本发明的其他侧面，提供GaN晶片的生成方法，从GaN锭生成GaN晶片，其中，该GaN晶片的生成方法具有如下的工序：保持工序，利用卡盘工作台对GaN锭进行保持；激光束照射工序，将对于保持在该卡盘工作台上的GaN锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在GaN锭的内部而进行照射，在深度相当于要生成的GaN晶片的厚度的界面形成破坏层；以及晶片剥离工序，从锭剥离出GaN晶片，振荡出该激光束的激光振荡器包含：激光光源，其振荡出高频的脉冲激光；间疏部，其按照规定的重复频率对该激光光源振荡出的高频脉冲进行间疏而将多个高频脉冲作为子脉冲而生成1个突发脉冲；以及放大器，其对所生成的该突发脉冲进行放大。

优选该间疏部进行间疏以便将2个～10个之中使破坏层在该聚光点所定位的该界面位置延伸得最长的子脉冲的个数设定为构成1个突发脉冲的子脉冲的个数而生成突发脉冲，特别优选该使破坏层延伸得最长的子脉冲的个数为3个。

本发明通过如上述那样构成，使1个突发脉冲的能量在1个脉冲的时间幅度中分散而进行照射，使GaN阶段性地分离成Ga和N，高效地形成破坏层。

附图说明

图1是本发明实施方式的具有激光振荡器的激光加工装置的立体图。

图2是示出激光束照射单元的概略的框图。