[发明专利]激光加工装置和GaN晶片的生成方法

权利要求书

1.一种激光加工装置，其适用于从GaN锭生成GaN晶片，其中，该激光加工装置具有：

卡盘工作台，其对锭进行保持；以及

激光束照射单元，其照射对于保持在该卡盘工作台上的GaN锭具有透过性的波长的激光束，

该激光束照射单元包含：

激光振荡器，其振荡出激光束；以及

聚光器，其将该激光振荡器振荡出的激光束的聚光点定位在GaN锭的内部而进行照射，在深度相当于要生成的GaN晶片的厚度的界面形成以激光加工痕为中心沿水平方向扩展的将GaN锭分离成Ga和N的破坏层，

该激光振荡器包含：

激光光源，其振荡出高频的脉冲激光；

间疏部，其按照规定的重复频率对该激光光源振荡出的高频脉冲进行间疏而将多个该高频脉冲作为子脉冲来生成1个突发脉冲；以及

放大器，其对所生成的该突发脉冲进行放大，

该间疏部将2个～10个之内通过预先试着进行的激光加工计算出的使破坏层在该聚光点所定位的界面位置延伸得最长的子脉冲的个数设定为构成1个突发脉冲的子脉冲的个数。