[发明专利]一种新型电子元件及其制备方法

权利要求书

1.一种新型电子元件，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的埋氧层；

位于所述埋氧层上远离所述衬底一侧的漂移层，所述漂移层的上表面形成有窗口，所述漂移层的上表面为所述漂移层远离所述埋氧层一侧的表面；

位于所述窗口内壁，或者所述窗口内壁以及所述窗口下表面的掺杂区；

位于所述窗口内的绝缘层，所述绝缘层包括至少一个第一绝缘层和至少一个第二绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层沿第一方向排列，所述第一方向与所述漂移层的上表面垂直；

位于所述漂移层上远离所述埋氧层一侧或者所述绝缘层上远离所述埋氧层一侧的源极电极、栅极电极以及漏极电极。

2.根据权利要求1所述的新型电子元件，其特征在于，所述绝缘层包括两个第一绝缘层和至少两个第二绝缘层，沿所述第一方向，至少两个所述第二绝缘层位于两个所述第一绝缘层之间，且至少两个所述第二绝缘层的介电常数不同。

3.根据权利要求1所述的新型电子元件，其特征在于，所述绝缘层包括至少两个第一绝缘层和至少两个第二绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层沿所述第一方向间隔交叉排列，且至少两个所述第二绝缘层的介电常数相同或者不同。

4.根据权利要求1-3任一项所述的新型电子元件，其特征在于，所述第一绝缘层为SiO₂层，所述第二绝缘层为低温共烧陶瓷。

5.根据权利要求1所述的新型电子元件，其特征在于，所述掺杂区包括P型掺杂区和N型掺杂区中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的新型电子元件，其特征在于，所述新型电子元件还包括：

至少一个金属场板，所述金属场板位于所述绝缘层内。

7.根据权利要求6所述的新型电子元件，其特征在于，所述金属场板为栅极金属场板或者漏极金属场板中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的新型电子元件，其特征在于，所述新型电子元件还包括：

多晶硅层，与所述栅极电极对应设置；

源极体区，与所述源极电极对应设置。

9.根据权利要求1所述的新型电子元件，其特征在于，所述衬底为P型衬底，所述漂移层为N型漂移层，所述埋氧层为SiO₂层。

10.一种新型电子元件的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底并在所述衬底上制备埋氧层；

在所述埋氧层上远离所述衬底的一侧制备漂移层，所述漂移层的上表面形成有窗口，所述漂移层的上表面为所述漂移层远离所述埋氧层一侧的表面；

在所述窗口内壁，或者所述窗口内壁以及所述窗口下表面制备掺杂区；

在所述窗口内制备绝缘层，所述绝缘层包括至少一个第一绝缘层和至少一个第二绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层沿第一方向排列，所述第一方向与所述漂移层的上表面垂直；

在所述漂移层上远离所述埋氧层的一侧或者所述绝缘层上远离所述埋氧层的一侧制备源极电极、栅极电极以及漏极电极。