[发明专利]有机发光显示面板及其制造方法有效
申请号: | 201710297748.6 | 申请日: | 2017-04-29 |
公开(公告)号: | CN108807461B | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 王洋;季朋飞;蔺帅 | 申请(专利权)人: | 广州国显科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;G06F3/041;G06F3/044 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 孙燕娟 |
地址: | 511300 广东省广州市增城区永*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
一种有机发光显示面板,包括基板、形成于基板上方的薄膜晶体管和触控电路、形成于薄膜晶体管上方的有机发光二极管,触控电路包括驱动电极和感应电极,有机发光二极管包括阳极层、阴极层以及位于阳极层和阴极层之间的有机发光层,薄膜晶体管包括至少两个金属层,触控电路的感应电极形成于薄膜晶体管的其中一个金属层,触控电路的驱动电极形成于有机发光二极管的阴极层。本发明通过将触控电路的感应电极与薄膜晶体管的一个金属层做在同一层,将触控电路的驱动电极与有机发光二极管的阴极做在同一层,而达到减小有机发光显示面板的整体厚度,减少制程和成本的功效。本发明还提供上述有机发光显示面板的制造方法。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种有机发光显示面板及其制造方法。
背景技术
有机电致发光显示面板(Organic light-emitting diodes,OLED)是一种利用有机材料封装成型的显示面板件,其具有工作电压低、响应速度快、发光效率高、视角广和工作温度广等优点,利于显示面板件的轻薄化、低功耗和曲面设计,因此,已逐渐成为显示面板领域研究的重点。
现有的OLED触控屏,大多与显示屏分开制作,做成GFF (Glass + ITO Film + ITOFilm,)、GF2(glass+2*ITO film)等外挂式触控屏,然后再与显示屏贴合在一起,形成完整的触控显示装置,这种结构会导致OLED装置整体厚度增加,不利于产品的轻薄化设计。
并且,外挂式触控屏的驱动电极TX和感测电极RX至少需要做两次镀膜黄光工艺,且需要将触控屏与显示屏再次贴合,工序复杂、成本较高。同时,触控屏金属网格的开孔与显示屏像素接近,存在周期性,容易使触控屏的金属网格与显示屏的像素开口发生光学干涉,形成摩尔纹,影响显示效果。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种制作工艺简单的有机发光显示面板及其制造方法。
本发明提供的有机发光显示面板包括基板、形成于基板上方的薄膜晶体管和触控电路、以及形成于薄膜晶体管上方的有机发光二极管,所述触控电路包括驱动电极和感应电极,所述有机发光二极管包括阳极层、阴极层以及位于阳极层和阴极层之间的有机发光层,其特征在于,所述薄膜晶体管包括至少两个金属层,所述触控电路的所述感应电极和所述驱动电极的其中之一位于所述薄膜晶体管的其中一个金属层,所述触控电路的所述感应电极和所述驱动电极其中另一位于所述有机发光二极管的所述阴极层;所述薄膜晶体管包括第一金属层、位于所述第一金属层上的电容绝缘层、位于所述电容绝缘层上的第二金属层、位于所述第二金属层上的绝缘介质层、以及位于所述绝缘介质层上的第三金属层,所述第一金属层形成像素电路存储电容的第一极板和所述薄膜晶体管的栅极,所述第二金属层连接所述薄膜晶体管的源极和漏极并形成像素电路存储电容的第二极板,所述触控电路的所述感应电极和所述驱动电极的其中之一以及薄膜晶体管的走线位于所述第三金属层,所述触控电路的所述感应电极和所述驱动电极其中另一以及所述有机发光二极管的阴极设于同一层。
本发明提供的有机发光显示面板的制造方法,包括:在一基板上形成薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括第一金属层、位于所述第一金属层上的电容绝缘层、位于所述电容绝缘层上的第二金属层、位于所述第二金属层上的绝缘介质层、以及位于所述绝缘介质层上的第三金属层,所述第一金属层形成像素电路存储电容的第一极板和所述薄膜晶体管的栅极,所述第二金属层连接所述薄膜晶体管的源极和漏极并形成像素电路存储电容的第二极板;图案化所述第三金属层,在所述第三金属层形成薄膜晶体管的走线和触控电路的感应电极和驱动电极其中之一;在所述第三金属层上形成有机发光二极管,所述有机发光二极管包括阳极层、有机发光层和阴极层;图案化所述阴极层,在所述阴极层形成所述有机发光二极管的阴极和触控电路的感应电极和驱动电极的其中另一。
进一步地,所述触控电路的感应电极和驱动电极其中之一的图形与对应的薄膜晶体管走线图形错开,所述触控电路的感应电极和驱动电极其中另一的图形与所述有机发光二极管的阴极图形和像素开口图形错开。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的