[发明专利]有机发光显示面板及其制造方法有效
申请号: | 201710297748.6 | 申请日: | 2017-04-29 |
公开(公告)号: | CN108807461B | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 王洋;季朋飞;蔺帅 | 申请(专利权)人: | 广州国显科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;G06F3/041;G06F3/044 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 孙燕娟 |
地址: | 511300 广东省广州市增城区永*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示面板,包括基板、形成于基板上方的薄膜晶体管和触控电路、以及形成于薄膜晶体管上方的有机发光二极管,所述触控电路包括驱动电极和感应电极,所述有机发光二极管包括阳极层、阴极层以及位于阳极层和阴极层之间的有机发光层,其特征在于,所述薄膜晶体管包括至少两个金属层,所述触控电路的所述感应电极和所述驱动电极的其中之一位于所述薄膜晶体管的其中一个金属层,所述触控电路的所述感应电极和所述驱动电极其中另一位于所述有机发光二极管的所述阴极层;所述薄膜晶体管包括第一金属层、位于所述第一金属层上的电容绝缘层、位于所述电容绝缘层上的第二金属层、位于所述第二金属层上的绝缘介质层、以及位于所述绝缘介质层上的第三金属层,所述第一金属层形成像素电路存储电容的第一极板和所述薄膜晶体管的栅极,所述第二金属层连接所述薄膜晶体管的源极和漏极并形成像素电路存储电容的第二极板,所述触控电路的所述感应电极和所述驱动电极的其中之一以及薄膜晶体管的走线位于所述第三金属层,所述触控电路的所述感应电极和所述驱动电极其中另一以及所述有机发光二极管的阴极设于同一层。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于:所述触控电路的感应电极和驱动电极其中之一的图形与对应的薄膜晶体管走线图形错开,所述触控电路的感应电极和驱动电极其中另一的图形与所述有机发光二极管的阴极图形和像素开口图形错开。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于:所述触控电路的所述感应电极和所述驱动电极的其中另一包括位于有机发光显示面板像素区一侧的感应电极总线/驱动电极总线以及与所述感应电极总线/驱动电极总线连成一体的多条感应电极线/驱动电极线,这些感应电极线/驱动电极线相互平行且间隔设置,所述有机发光二极管的阴极包括位于像素区另一侧的阴极总线以及与所述阴极总线连成一体的多条条状电极,这些条状电极位于相邻感应电极线/驱动电极线之间的空隙中。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于:所述有机发光二极管和所述触控电路均与一触控与显示驱动器集成芯片相连。
5.一种有机发光显示面板的制造方法,包括:
在一基板上形成薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括第一金属层、位于所述第一金属层上的电容绝缘层、位于所述电容绝缘层上的第二金属层、位于所述第二金属层上的绝缘介质层、以及位于所述绝缘介质层上的第三金属层,所述第一金属层形成像素电路存储电容的第一极板和所述薄膜晶体管的栅极,所述第二金属层连接所述薄膜晶体管的源极和漏极并形成像素电路存储电容的第二极板;
图案化所述第三金属层,在所述第三金属层形成薄膜晶体管的走线和触控电路的感应电极和驱动电极其中之一;
在所述第三金属层上形成有机发光二极管,所述有机发光二极管包括阳极层、有机发光层和阴极层;
图案化所述阴极层,在所述阴极层形成所述有机发光二极管的阴极和触控电路的感应电极和驱动电极的其中另一。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示面板的制造方法,其特征在于:所述触控电路的感应电极和驱动电极其中之一的图形与对应的薄膜晶体管走线图形错开,所述触控电路的感应电极和驱动电极其中另一的图形与所述有机发光二极管的阴极图形和像素开口图形错开。
7.根据权利要求5所述的有机发光显示面板的制造方法,其特征在于:所述有机发光二极管的阴极包括位于有机发光显示面板像素区一侧的阴极总线以及与阴极总线连成一体的多条条状电极,这些条状电极相互平行且间隔设置,所述触控电路的感应电极和驱动电极的其中另一包括位于像素区另一侧的感应电极总线/驱动电极总线以及与感应电极总线/驱动电极总线连成一体的多条感应电极线/驱动电极线,这些感应电极线/驱动电极线位于相邻条状电极之间的空隙中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州国显科技有限公司,未经广州国显科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710297748.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:像素结构驱动方法
- 下一篇:一种新型的像素排列结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的