[发明专利]AMOLED用金属掩膜板的制造方法

说明书

一种AMOLED用金属掩膜板的制造方法，包括步骤：选取导电基板；在导电基板的表面涂布一层光刻胶；使光刻胶光刻出与金属掩膜板的蒸镀孔相对应的光刻胶图形，但光刻出的光刻胶图形的尺寸大于金属掩膜板的蒸镀孔的设计尺寸；在带有光刻胶图形的导电基板上进行电铸过生长，使金属材料的生长厚度大于光刻胶图形的厚度，金属材料同时将光刻胶图形的四周边缘覆盖，直至光刻胶图形未被金属材料覆盖的开口区域的尺寸与金属掩膜板的蒸镀孔的设计尺寸一致；去除导电基板上残留的光刻胶。上述金属掩膜板的制造方法只需要一次图形光刻和电铸工艺便可加工成型，工艺简单，成本低廉，而且是通过在带有光刻胶图形的导电基板上电铸过生长出金属掩膜板，因此精度更高。

技术领域

本发明涉及AMOLED显示技术领域，且特别涉及一种AMOLED用金属掩膜板的制造方法。

背景技术

AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极体)显示器以其低功耗、高亮度、高对比度、广视角、响应速度快、工作温度范围广、易于做成柔性面板等优势而被业界公认为是继液晶显示器之后的第三代显示技术，可以广泛用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品。

AMOLED器件的发光层制备通常采用真空蒸镀法，将有机发光材料蒸镀到衬底基板上。常用的方法为掩膜蒸镀法，在衬底基板的前面设置一层金属掩膜板作为遮挡层，在金属掩膜板的开口处将红、绿、蓝有机发光材料分别蒸镀到显示面板像素单元内。高像素密度(PPI,Pixels Per Inch)是AMOLED的发展趋势，目前主流AMOLED器件的PPI在300～400之间，提高PPI的基本方法是提高金属掩膜板的图形精度。因此，制备出高精度金属掩膜板成为生产高像素密度AMOLED器件的关键因素。

大开口尺寸的金属掩膜板一般采用机械加工法，根据开口的图形尺寸进行钻、剪、锉、磨的加工方法；小开口尺寸(开口尺寸在30um-200um)的金属掩膜板通常采用化学腐蚀法，通过紫外曝光、光刻胶显影等工序形成掩膜板图形，再利用化学溶液腐蚀金属层获得所需的金属掩膜板。但是，化学腐蚀过程中无法避免地会产生侧向腐蚀，导致在腐蚀穿金属基板的同时无法保证掩膜板开口图形的精度，或者，在保证掩膜板开口图形精度的同时无法将金属基板腐蚀穿，因此，化学腐蚀方法很难制备高精度(开口尺寸小于30um)的金属掩膜板。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种成本较低，工艺简单且制作精度更高的AMOLED用金属掩膜板的制造方法。

本发明实施例提供一种AMOLED用金属掩膜板的制造方法，包括步骤：

选取导电基板；

在导电基板的表面涂布一层光刻胶；

使光刻胶光刻出与金属掩膜板的蒸镀孔相对应的光刻胶图形，但光刻出的光刻胶图形的尺寸大于金属掩膜板的蒸镀孔的设计尺寸；

在带有光刻胶图形的导电基板上进行电铸过生长，使金属材料的生长厚度大于光刻胶图形的厚度，金属材料同时将光刻胶图形的四周边缘覆盖，直至光刻胶图形未被金属材料覆盖的开口区域的尺寸与金属掩膜板的蒸镀孔的设计尺寸一致；

去除导电基板上残留的光刻胶。

进一步地，金属材料在靠近金属掩膜板的蒸镀孔一侧形成为锥角。

进一步地，锥角为45°。

进一步地，位于金属掩膜板的两个相邻蒸镀孔之间的金属材料，其截面呈伞形。

进一步地，每个蒸镀孔在远离导电基板的上方敞口形成喇叭状。

进一步地，每个蒸镀孔在靠近导电基板的下方镂空形成扩大空腔。

进一步地，导电基板为ITO导电玻璃、金属铬板或不锈钢基板。