[发明专利]一种用于处理基板的装置和方法

说明书

技术领域

本文中公开的本发明涉及一种用于用液体处理基板的装置和方法。

背景技术

在制造平板显示器或半导体器件的方法中，进行各种工艺诸如光刻工艺、灰化工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺、薄膜沉积工艺和清洁工艺。清洁工艺去除残留在基板中的颗粒，并且在每个工艺之前和之后进行。

根据基板的表面性质而应用不同的清洁工艺。特别地，当基板具有疏水性例如LK(Low-K，低K)、ULK(Ultra Low-K，超低K)和SiCN时，难以进行用液体清洁基板的湿式清洁工艺。因此，如专利文件1中所述的干式清洁装置和去除工艺那样形成气体团簇，然后进行去除工艺以去除附着在基板表面中的颗粒。

然而，根据分析设备的发展，已经发现90nm以上的颗粒及其分解的较小颗粒被再附着至基板表面，从而难以期望高效率地干式清洁具有疏水性的基板表面。

发明内容

本发明提供一种可以提高对具有疏水性的基板表面的清洁效率的装置和方法。

此外，本发明提供一种用于用湿式清洁处理具有疏水性的基板表面的装置和方法。

本发明的实施方式提供了一种用于用液体处理基板的装置和方法。所述基板处理装置包括用于支撑基板的基板支撑单元、用于向支撑在所述基板支撑单元上的所述基板供应液体的液体供应单元、以及用于控制所述液体供应单元的控制器，其中所述液体供应单元包括用于供应第一液体的第一喷嘴和用于供应第二液体的第二喷嘴，并且向基板上供应第二液体的第二区域设置在向基板上供应第一液体的第一区域内。

将第一液体和第二液体以彼此不同的方式排出，其中，将第一区域设置为液膜，并且第二液体可以以雾气方式排出。控制器可以控制液体供应单元以同时供应第一液体和第二液体。控制器可以控制液体供应单元以在供应第一液体之后供应第二液体。第一液体和第二液体中的每一个可以用于去除由在基板上形成的疏水膜产生的颗粒，并且可以作为包括有机溶剂的液体提供。液体供应单元还可以包括用于移动第一喷嘴和第二喷嘴的喷嘴移动构件，其中，控制器可以控制喷嘴移动构件以使第一区域和第二区域可以在基板的端部和基板的中心之间移动。

在用液体处理在基板上形成的疏水膜的方法中，通过向基板上供应第一液体和第二液体来用液体处理该基板，其中，向基板上供应第二液体的第二区域设置在向基板上供应第一液体的第一区域内。

第一液体和第二液体以彼此不同的方式排出，并且可以通过第一液体在基板上形成液膜，其中，第二液体可以以雾气方式排出。在液膜上，第二液体可以被排出。第一液体和第二液体中的每一个可以作为包括有机溶剂的液体提供。疏水膜可以包括Lk(Low-K)、ULK(Ultra Low-K)和SiCN中的一种，其中，有机溶剂可以包括IPA。

根据本发明的实施方式，用于疏水膜的湿式处理的液体包括有机溶剂。有机溶剂作为对疏水膜的表面活性剂提供，从而可以用湿式清洁来处理疏水膜。

同样根据本发明的实施方式，将供应作为疏水膜的第一液体和第二液体以彼此不同的方式排出。因此，可以根据每个排出方式去除各种尺寸的颗粒。

附图说明

图1是根据本发明的实施方式的基板处理装置的平面图。

图2是图1的基板处理装置的截面图。

图3表示图2的液体供应单元。

图4至7是使用图2的液体供应单元的基板处理工艺的截面图。

图8是图3的液体供应单元的另一个实施方式的截面图。

具体实施方式

在下文中将参照附图更全面地描述各种示例性实施方式，在附图中示出了一些示例性实施方式。然而，本发明可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本发明充分且完整，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。因此，附图的特征被夸大以突出明确的解释。

一个实施方式解释了一种用于清洁在基板上形成的疏水膜的方法。下面通过参考图1至8详细解释本发明的实施方式。