[发明专利]一种半导体硅片微点电镀槽

说明书

本发明公开一种半导体硅片微点电镀槽，包括电镀腔(1)和镀液槽(2)；电镀腔(1)分成外槽(11)和内槽(12)，内槽(12)底部内侧放置阳极电极板(31)，待镀半导体硅片(4)搁置在内槽(12)顶部周边均布4个向上的突起(13)上，上面放有阴极电极板(32)；电镀腔(1)和镀液槽(2)之间通过镀液管(6)形成镀液循环；镀液槽(2)内设有镀液泵(5)，镀液泵(5)的出口接一镀液上液管(61)，镀液上液管(61)穿过外槽(11)和内槽(12)及阳极电极板(31)，与内槽(12)内部相通；外槽(11)上开有回液孔(14)，回液孔(14)位于内槽(12)之外。本发明的电镀槽，大规模半导体芯片均匀微点电镀而不产生镀瘤或黏连。

技术领域

本发明属于硅片电镀槽技术领域，特别是一种实现大规模半导体芯片均匀微点电镀而不产生镀瘤或黏连的半导体硅片微点电镀槽。

背景技术

晶体管、二极管等半导体器件广泛用于手机、计算机等领域，一个晶体管、二极管硅片上往往有十几万只以上的管芯，每只管芯的引脚处都需要镀一个银点，以便于引脚的焊接。

由于大规模半导体芯片的尺寸和间距很小，现有电镀设备在硅片管芯引脚电镀过程中很容易发生镀瘤或黏连。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体硅片微点电镀槽，实现大规模半导体芯片均匀微点电镀而不产生镀瘤或黏连。

实现本发明目的的技术解决方案为：

一种半导体硅片微点电镀槽，包括电镀腔1和镀液槽2；

所述电镀腔1分成外槽11和置于外槽11内的圆形内槽12，所述内槽12底部内侧放置阳极电极板31，内槽12顶部周边均布4个向上的突起13，用于搁置待镀半导体硅片4，所述待镀半导体硅片4上面放有阴极电极板32，所述内槽12内设有倒置漏斗状导流罩9；

所述电镀腔1和镀液槽2之间通过镀液管6形成镀液循环；

所述镀液槽2内设有镀液泵5，所述镀液泵5的出口接一镀液上液管61，所述镀液上液管61穿过外槽11和内槽12及阳极电极板31，与内槽12内部相通，所述镀液上液管61上设有调节阀8；

所述外槽11上开有回液孔14，所述回液孔14位于内槽12之外。

本发明与现有技术相比，其显著优点为：

1、微点电镀均匀：镀液是流动的，通过垂直供液和导流罩的调节，使硅片从中心到外沿镀液的浓度梯度基本一致，从而保证了施镀过程中微点生长的一致性。

2、不产生镀瘤或黏连：通过流速等工艺参数的调节，微点不会由于生长过快而产生镀瘤或黏连。

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细描述。

附图说明

图1为本发明半导体硅片微点电镀槽的结构示意图。

图2为图1的俯视图。

图3为利用本发明镀槽对5英寸二极管硅片镀银的电镜照片。

图中，电镀腔1，外槽11，内槽12，突起13，回液孔14，镀液槽2，阳极电极板31，阴极电极板32，待镀半导体硅片4，镀液泵5，镀液上液管61，回流管62，加热器71，温控器72，调节阀8，导流罩9。

具体实施方式