[发明专利]一种半导体硅片微点电镀槽有效

专利信息
申请号: 201710109734.7 申请日: 2017-02-28
公开(公告)号: CN106637322B 公开(公告)日: 2018-05-18
发明(设计)人: 姜世杭 申请(专利权)人: 扬州大学
主分类号: C25D5/02 分类号: C25D5/02;C25D5/08;C25D7/12;C25D17/02
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 吴茂杰
地址: 226009 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 硅片 电镀
【权利要求书】:

1.一种半导体硅片微点电镀槽,

包括电镀腔(1)和镀液槽(2);

所述电镀腔(1)分成外槽(11)和置于外槽(11)内的圆形内槽(12),所述内槽(12)底部内侧放置阳极电极板(31),内槽(12)顶部周边均布4个向上的突起(13),用于搁置待镀半导体硅片(4),所述待镀半导体硅片(4)上面放有阴极电极板(32);

所述电镀腔(1)和镀液槽(2)之间通过镀液管(6)形成镀液循环;

所述镀液槽(2)内设有镀液泵(5),所述镀液泵(5)的出口接一镀液上液管(61),所述镀液上液管(61)穿过外槽(11)和内槽(12)及阳极电极板(31),与内槽(12)内部相通;

所述外槽(11)上开有回液孔(14),所述回液孔(14)位于内槽(12)之外;

所述镀液槽(2)内设有加热器(71)和温控器(72);

所述镀液上液管(61)上设有调节阀(8);

所述内槽(12)的外径与待镀半导体硅片(4)的直径相等;

所述回液孔(14)下接一回流管(62),所述回流管(62)下端没入液面;

其特征在于:

所述内槽(12)内设有倒置漏斗状导流罩(9)。

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