[发明专利]等离子体化学气相生长装置

说明书

技术领域

本发明涉及等离子体化学气相生长装置。

背景技术

在等离子体化学气相生长装置(以下，也称作“PCVD装置”。)中，通过在设置于反应炉内的工件的附近将工艺气体等离子体化而分解，而在该工件上生成膜。在这样向工件成膜时，因等离子体化而分解后的工艺气体中的未附着于工件的工艺气体的一部分会附着于反应炉的内壁。若基于工艺气体的附着物这样堆积于反应炉的内壁，则会从附着物向内壁施加欲使该内壁变形的力。但是，由于反应炉的内壁的刚度高，因此即使从堆积的附着物施加力，该内壁也不会变形。因此，积留于附着物的内部的力即内部应力容易变大。并且，若该附着物的内部应力增大到无法凭借附着物向内壁的附着力而继续附着的程度，则附着物有时会从内壁剥离。在该情况下，从反应炉的内壁剥离后的附着物会以薄片(flake)的形式在反应炉内飞散，薄片有时会附着于设置在反应炉内的工件。

于是，已知有通过在反应炉内的工件的设置位置与该反应炉的内壁之间配置例如日本特开平4-289159所记载的附着抑制片来抑制附着物向该内壁堆积从而抑制反应炉内的薄片的飞散的方法。

日本特开平4-289159所记载的附着抑制片由铝的薄板构成。如图10所示，在该附着抑制片100中，通过设置许多凹凸而提高了其柔软性。

在该情况下，如图10所示，在向工件生成膜时，上述的附着物200变成堆积于附着抑制片100，附着物200不再堆积于反应炉的内壁。并且，附着抑制片100的柔软性比反应炉的内壁的柔软性高。因此，通过从堆积于附着抑制片100的附着物200向附着抑制片100施加的力，附着抑制片100容易变形。具体地说，如图10中箭头所示，附着抑制片100以凸部101的顶端部分的曲率变大的形态变形。因此，即使附着物200向附着抑制片100的堆积量增加，也能通过附着抑制片100的变形而使得附着物200的内部应力不容易变大。其结果，能够抑制附着物200的内部应力增大到凭借附着物200向附着抑制片100的附着力而无法继续附着的程度，从而能够抑制附着物200从附着抑制片100剥离。因而，能够抑制反应炉内的薄片的飞散。

发明内容

附着物200向附着抑制片100的堆积量越增加，则从附着物200向附着抑制片100施加的力越大。因此，在附着抑制片100中，随着附着物200的堆积量增加，其变形量变大。具体地说，在附着抑制片100的凸部101中，若附着物200向凸部101的堆积量变多，则其顶端部分的曲率变大。此时，若凸部101的顶端部分的曲率变得过大，即凸部101的变形量过大，则堆积于凸部101的附着物200有时会因凸部101的变形而破损。在该情况下，附着物200的一部分会从凸部101剥离，剥离后的附着物会以薄片的形式在反应炉内飞散。

本发明提供一种能够抑制反应炉内的薄片的产生从而抑制薄片向设置于该反应炉内的工件附着的等离子体化学气相生长装置。

一形态的等离子体化学气相生长装置是通过使供给到反应炉内的工艺气体等离子体化而分解，而在设置于该反应炉内的工件上生成膜的装置。在该等离子体化学气相生长装置中，在反应炉内的工件的设置位置与该反应炉的内壁之间配置有抑制工艺气体向该内壁的附着的附着抑制片。附着抑制片是由多个第一纤维束和多个第二纤维束构成的织物，多个第一纤维束在第一方向上延伸并且分别由多个纤维构成，多个第二纤维束在与第一方向不同的第二方向上延伸并且分别由多个纤维构成。并且，在将附着抑制片的设置位置侧的面设为正面，将反应炉的内壁侧的面设为背面的情况下，在多个第一纤维束的各第一纤维束中，位于比第二纤维束靠正面侧处且在正面露出的正面侧部分与位于比第二纤维束靠背面侧处且未在正面露出的背面侧部分在第一方向上交替排列。另外，在多个第二纤维束的各第二纤维束中，位于比第一纤维束靠正面侧处且在正面露出的正面侧部分与位于比第一纤维束靠背面侧处且未在正面露出的背面侧部分在第二方向上交替排列。

根据上述结构，当在反应炉内向工件进行膜的生成时，在第一纤维束中，在正面侧部分会堆积基于工艺气体的附着物，而在背面侧部分不会堆积该附着物。在第二纤维束中也是同样，在正面侧部分会堆积基于工艺气体的附着物，而在背面侧部分不会堆积该附着物。因此，在各纤维束中，在它们的长度方向上，附着物堆积的部分与附着物不堆积的部分交替排列。即，在上述结构中，在各纤维束中不是在整体堆积附着物，而是附着物堆积的多个区域隔开间隔而存在。