[实用新型]一种LED发光二极管封装结构

权利要求书

1.一种LED发光二极管封装结构，其包括支架、LED芯片以及树脂封装层，其特征在于：所述支架包括两个引脚和基座本体，所述基座本体设置有凹陷的腔体，所述腔体的体壁为光滑的聚光反射面板，所述腔体的底面为镜面光反射面板，所述的底面具有与所述LED芯片单元相连接的导通部，所述导通部底部设置有散热块，所述散热块的上表面与导通部相接触，下表面与流通空气相接触，所述LED芯片包括依次层叠的图案化衬底、颗粒状成核层、本征层、N型层、多量子阱有源层、P型层和掺镁P型层以及透明导电层，所述LED芯片的本征氮化镓层、N型层、多量子阱有源层、P型层和掺镁P型层以及透明导电层均具有波浪状的表面结构。

2.根据权利要求1所述的LED发光二极管封装结构，其特征在于：所述散热块为铜块。

3.根据权利要求1所述的LED发光二极管封装结构，其特征在于：所述镜面光反射面板为化学镀银平面镜。

4.根据权利要求1所述的LED发光二极管封装结构，其特征在于，所述颗粒状成核层的表面连续。

5.根据权利要求4所述的LED发光二极管封装结构，其特征在于，所述的成核层材料为Al_xIn_yGa_1-x-yN，其中0.3≤X≤0.7，0.2≤Y≤0.5。

6.根据权利要求1所述的LED发光二极管封装结构，其特征在于，所述树脂封装层为含有荧光粉的环氧树脂层。

7.根据权利要求1所述的LED发光二极管封装结构，其特征在于，所述本征层为本征氮化镓层，所述N型层为N型GaN层，所述多量子阱有源层为InGaN/GaN多量子阱有源层，所述P型层为P型AlGaN层，所述掺镁P型层为掺镁P型GaN层。