[发明专利]存储器装置及其操作方法在审

申请号：	201611198376.3	申请日：	2016-12-22
公开（公告）号：	CN107507644A	公开（公告）日：	2017-12-22
发明（设计）人：	洪俊雄;张坤龙;陈耕晖;罗思觉;谢明志	申请（专利权）人：	旺宏电子股份有限公司
主分类号：	G11C16/10	分类号：	G11C16/10;G11C16/14
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司11021	代理人：	任岩
地址：	中国台湾新竹***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	存储器装置及其操作方法
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【说明书】：

技术领域

本发明是有关于一种存储器装置及其操作方法，且特别是有关于一种含有两种存储器阵列的存储器装置及其操作方法。

背景技术

随着存储器技术的发展，各是存储器不断推陈出新。举例来说，动态存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)、闪存(Flash memory)、电子可擦除可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,EEPROM)，静态存取存储器(Static Random-Access Memory,SRAM)及只读存储器(Read-Only Memory,ROM)已广泛使用于日常生活。这些存储器具有不同的特性。相较于需要4～6个晶体管的SRAM，DRAM的优点在于结构简单。这使得DRAM能够达到相当高的储存密度。相对于EEPROM，闪存的一大缺点为擦除单位相当的大。EEPROM则用以储存相对少量的数据，且能够个别地以字节为单位进行擦除与编程。

为了达成某种特定的储存目的，将选择其中一种存储器安装于电子装置中。然而，由于所选择的存储器具有其特定的特定，使得数据的管理受到局限且不具弹性。

发明内容

本发明系有关于一种存储器装置及其操作方法。存储器装置包括两种类型的存储器阵列，且其形成于晶圆的单一存储器晶粒上。因此，存储器装置可以获得两种存储器阵列的优点。

根据本发明的一方面，提供一种存储器装置。存储器装置包括一第一存储器阵列、一第一列译码器、一第一行译码器、一第二存储器阵列、一第二列译码器及一第二行译码器。第一存储器阵列及第二存储器阵列为不同类型的存储器，且形成于一晶圆的单一存储器晶粒上。第一列译码器连接至第一存储器阵列。第一行译码器连接至第一存储器阵列。第一列译码器及第一行译码器用以存取第一存储器阵列。第二列译码器连接至第二存储器阵列。第二行译码器连接至第二存储器阵列。第二列译码器不同于第一列译码器。第二行译码器不同于第一行译码器。第二列译码器及第二行译码器用以存取第二存储器阵列。

根据本发明的另一方面，提出一种存储器装置的操作方法。存储器装置包括一第一存储器阵列、一第一列译码器、一第一行译码器、一第二存储器阵列、一第二列译码器及一第二行译码器。第一存储器阵列及第二存储器阵列为不同类型的存储器且形成于一晶圆的单一存储器晶粒上。第一列译码器连接至第一存储器阵列。第一行译码器连接至第一存储器阵列。第一列译码器及第一行译码器用以存取第一存储器阵列。第二列译码器连接至第二存储器阵列。第二行译码器连接至第二存储器阵列。第二列译码器不同于第一列译码器。第二行译码器不同于第一行译码器。第二列译码器及第二行译码器用以存取第二存储器阵列。操作方法包括以下步骤：编程、擦除或读取第一存储器阵列。第一存储器阵列的编程单位小于第一存储器阵列的擦除单位。写入、擦除或读取第二存储器阵列。第二存储器阵列的各个存储单元被写入为一编程状态或一擦除状态。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示一晶圆的示意图。

图2A～图2D绘示第一存储器阵列的单向操作的示例图。

图3A～图3C绘示第二存储器阵列的双向操作的示例图。

图4绘示存储器装置的示意图。

图5绘示第一存储器阵列及第二存储器阵列。

图6A说明「读写同步」的一实施例。

图6B说明「读写同步」的另一实施例。

图6C说明「写同步」的一实施例。

图7A说明「暂停与回复」的一实施例。

图7B说明「暂停与回复」的另一实施例。