[发明专利]存储器装置及其操作方法在审
申请号: | 201611198376.3 | 申请日: | 2016-12-22 |
公开(公告)号: | CN107507644A | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | 洪俊雄;张坤龙;陈耕晖;罗思觉;谢明志 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/14 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 装置 及其 操作方法 | ||
1.一种存储器装置,包括:
一第一存储器阵列;
一第一列译码器,连接至该第一存储器阵列;
一第一行译码器,连接至该第一存储器阵列,其中该第一列译码器及该第一行译码器用以存取该第一存储器阵列;
一第二存储器阵列,其中该第一存储器阵列及该第二存储器阵列为不同类型的存储器,且形成于一晶圆的单一存储器晶粒上;
一第二列译码器,连接至该第二存储器阵列;以及
一第二行译码器,连接至该第二存储器阵列,其中该第二列译码器不同于该第一列译码器,该第二行译码器不同于该第一行译码器,该第二列译码器及该第二行译码器用以存取该第二存储器阵列。
2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中该第一存储器阵列为一单向可重写非易失性存储器,且该第一存储器阵列的编程单位小于该第一存储器阵列的擦除单位。
3.根据权利要求1所述的存储器装置,其中该第二存储器阵列为一双向可重写非易失性存储器,该第二存储器阵列的各个存储单元被写入为一编程状态或一擦除状态。
4.根据权利要求1所述的存储器装置,其中该一存储器阵列包括至少一第一记忆组,该第二存储器阵列包括至少一第二记忆组,该第一记忆组被读取时,该第二记忆组同时被写入。
5.根据权利要求1所述的存储器装置,其中该一存储器阵列包括至少一第一记忆组,该第二存储器阵列包括至少一第二记忆组,该第一记忆组被写入时,该第二记忆组同时被写入。
6.根据权利要求1所述的存储器装置,其中该第一存储器阵列包括至少一第一记忆组,该第二存储器阵列包括至少一第二记忆组,擦除或编程该第一记忆组的动作被暂停,以执行写入该第二记忆组的动作。
7.一种存储器装置的操作方法,其中该存储器装置包括一第一存储器阵列、一第一列译码器、一第一行译码器、一第二存储器阵列、一第二列译码器及一第二行译码器,该第一存储器阵列及该第二存储器阵列为不同类型的存储器且形成于一晶圆的单一存储器晶粒上,该第一列译码器连接至该第一存储器阵列,该第一行译码器连接至该第一存储器阵列,该第一列译码器及该第一行译码器用以存取该第一存储器阵列,该第二列译码器连接至该第二存储器阵列,该第二行译码器连接至该第二存储器阵列,该第二列译码器不同于该第一列译码器,该第二行译码器不同于该第一行译码器,该第二列译码器及该第二行译码器用以存取该第二存储器阵列,该操作方法包括:
编程、擦除或读取该第一存储器阵列,其中该第一存储器阵列的编程单位小于该第一存储器阵列的擦除单位;以及
写入、擦除或读取该第二存储器阵列,其中该第二存储器阵列的各个存储单元被写入为一编程状态或一擦除状态。
8.根据权利要求7所述的存储器装置的操作方法,其中该一存储器阵列包括至少一第一记忆组,该第二存储器阵列包括至少一第二记忆组,该第一记忆组被读取时,该第二记忆组同时被写入。
9.根据权利要求7所述的存储器装置的操作方法,其中该一存储器阵列包括至少一第一记忆组,该第二存储器阵列包括至少一第二记忆组,该第一记忆组被写入时,该第二记忆组同时被写入。
10.根据权利要求7所述的存储器装置的操作方法,其中该第一存储器阵列包括至少一第一记忆组,该第二存储器阵列包括至少一第二记忆组,擦除或编程该第一记忆组的动作被暂停,以执行写入该第二记忆组的动作。
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