[发明专利]局部硅氧化隔离器件的制备方法

说明书

本发明揭示了一种局部硅氧化隔离器件的制备方法，包括：提供一衬底；在所述衬底中形成局部硅氧化隔离；在具有所述局部硅氧化隔离的衬底中形成深阱；以及在所述深阱中形成扩散阱。本发明提供的局部硅氧化隔离器件的制备方法，可以有效防止器件漏电。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种局部硅氧化隔离器件的制备方法。

背景技术

完整的电路是由分离的器件通过特定的电学通路连接起来的，因此在集成电路制造中必须能够把器件隔离开来，这些器件随后还要能够互连以形成所需要的特定的电路结构。隔离不好会造成漏电、击穿低、闩锁效应等。因此隔离技术是集成电路制造中一项关键技术。

现有技术中形成隔离结构的方法主要有局部氧化硅(Local Oxidation ofSilicon，简称LOCOS)隔离工艺和浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation，简称STI)工艺。在LOCOS隔离工艺中，会在半导体衬底表面沉积一层氮化硅层，然后刻蚀去除部分所述氮化硅层以暴露部分的衬底，对暴露的部分衬底进行氧化以生成局部氧化硅，在被所述氮化硅层所覆盖的所述衬底中形成有源器件，这样，不同的所述有源器件被所述局部氧化硅所隔离。与STI工艺相比，LOCOS隔离工艺形成的起隔离作用的局部氧化硅具有更大的厚度，更好的隔离效果，所以一般被用于高压器件工艺中。

然而，现有技术形成的局部硅氧化隔离器件中，常常出现漏电现象，影响器件的性能。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种局部硅氧化隔离器件的制备方法，可以有效防止漏电。

为解决上述技术问题，本发明提供一种局部硅氧化隔离器件的制备方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底中形成局部硅氧化隔离；

在具有所述局部硅氧化隔离的衬底中形成深阱；以及

在所述深阱中形成扩散阱。

进一步的，在所述深阱中形成扩散阱的步骤之后，还包括：

在所述局部硅氧化隔离以外的部分衬底的表面形成栅极氧化层。

进一步的，在所述局部硅氧化隔离以外的部分衬底的表面形成栅极氧化层的步骤之后，形成栅极，所述栅极至少位于所述栅极氧化层上。

进一步的，在所述栅极下方形成有阻挡阱区，所述阻挡阱区位于所述深阱中，所述阻挡阱区的类型与所述栅极两侧的扩散阱的类型相反。

进一步的，在所述衬底中形成局部硅氧化隔离的步骤包括：

在所述衬底上形成第一阻挡层；

在所述第一阻挡层中形成第一开口；

进行第一热氧化工艺，在所述第一开口处形成所述局部硅氧化隔离。

进一步的，在形成所述深阱之后，去除所述第一阻挡层。

进一步的，在所述局部硅氧化隔离以外的部分衬底的表面形成栅极氧化层的步骤包括：

在所述衬底上形成第二阻挡层；

在所述第二阻挡层中形成第二开口，所述第二开口暴露出部分所述衬底的表面；

进行第二热氧化工艺，在所述第二开口处形成所述栅极氧化层。

进一步的，在所述衬底中形成局部硅氧化隔离的步骤和在具有所述局部硅氧化隔离的衬底中形成深阱的步骤之间，还包括：

在所述局部硅氧化隔离以外的部分衬底的表面形成栅极氧化层。