[发明专利]OLED器件的封装方法、OLED封装器件及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)领域，特别涉及一种OLED器件的封装方法、OLED封装器件及显示装置。

背景技术

OLED器件由于其具有全固态结构、高亮度、全视角、响应速度快及可柔性显示等一系列优点，已成为极具竞争力和发展前景的下一代显示器件。研究表明，空气中的水汽和氧气等成分对OLED器件的寿命影响很大。因此，对OLED器件进行有效封装，使OLED器件与大气中的水汽、氧气等成分充分隔离，可以大大延长OLED器件的寿命，从而可以延长包括OLED器件的显示装置的使用寿命。

目前，OLED器件的封装多采用薄膜封装(Thin Film Encapsulation，简称TFE)实现，TFE封装方式会在待封装OLED器件上依次沉积第一层无机薄膜、第二层有机薄膜和第三层无机薄膜，以对OLED器件进行保护。

其中，第二层有机薄膜一般采用喷墨打印(ink jet printing)的方式形成，形成过程中有机材料易发生流动，造成最终成型的第二层有机薄膜边缘不整齐，导致第一层无机薄膜和第三层无机薄膜难以接触融合，使得TFE封装效果差，OLED器件良品率下降。

发明内容

为了解决现有TFE成膜方法中第二层有机薄膜边缘不整齐的问题，本发明实施例提供了一种OLED器件的封装方法、OLED封装器件及显示装置。所述技术方案如下：

第一方面，提供一种OLED器件的封装方法，所述方法包括：

在待封装OLED器件上形成第一层无机薄膜；

在所述第一层无机薄膜的表面形成凹槽，所述凹槽的边缘与所述第一层无机薄膜的边缘存在距离；

在所述凹槽内形成第二层有机薄膜；

以覆盖所述第一层无机薄膜和所述第二层有机薄膜的方式形成第三层无机薄膜，所述第三层无机薄膜与所述第一层无机薄膜的位于所述第一层无机薄膜的边缘和所述凹槽的边缘之间的部分接触。

在本发明实施例的一种实现方式中，所述在所述第一层无机薄膜的表面形成凹槽，包括：

采用干刻蚀工艺刻蚀所述第一层无机薄膜的表面，形成所述凹槽。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述在待封装OLED器件上形成第一层无机薄膜，包括：

采用化学气相沉积或者原子层沉积工艺形成所述第一层无机薄膜。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述干刻蚀工艺采用的掩膜板上图案的形状与所述化学气相沉积或者原子层沉积工艺采用的掩膜板上图案的形状相同，所述干刻蚀工艺采用的掩膜板上图案和所述化学气相沉积或者原子层沉积工艺采用的掩膜板上图案均为矩形，且所述干刻蚀工艺采用的掩膜板上图案的边的长度比所述化学气相沉积或者原子层沉积工艺采用的掩膜板上图案对应边的长度小0.01～0.5mm。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述凹槽的深度为0.1-0.8μm。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述凹槽的形状与所述第一层无机薄膜的形状相同。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述凹槽的边缘与所述第一层无机薄膜的边缘的距离为5-250μm。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述待封装OLED器件包括基板以及设置在所述基板上的OLED发光结构，所述第一层无机薄膜覆盖所述OLED发光结构并与所述基板粘接。

第二方面，提供一种OLED封装器件，所述OLED封装器件包括：

设于OLED器件上的第一层无机薄膜，所述第一层无机薄膜的表面设有凹槽，所述凹槽的边缘与所述第一层无机薄膜的边缘存在距离，设于所述凹槽内的第二层有机薄膜，以及覆盖所述第一层无机薄膜和所述第二层有机薄膜的第三层无机薄膜，所述第三层无机薄膜与所述第一层无机薄膜的位于所述第一层无机薄膜的边缘和所述凹槽的边缘之间的部分接触。

在本发明实施例的一种实现方式中，所述凹槽的深度为0.1-0.8μm。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述凹槽的形状与所述第一层无机薄膜的形状相同。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述凹槽的边缘与所述第一层无机薄膜的边缘的距离为5-250μm。

第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括第二方面中任一项所述的OLED封装器件。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：