[发明专利]半导体装置、积层型半导体装置、密封后积层型半导体装置以及这些装置的制造方法有效
| 申请号： | 201580018116.0 | 申请日： | 2015-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN106165086B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 竹村胜也;曾我恭子;浅井聪;近藤和纪;菅生道博;加藤英人 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;C25D5/02;C25D7/00;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/52;H01L23/522;H01L25/10;H01L25/11;H01L25/18;H05K1/11;H05K3/28;H05K3/40 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李英艳<国际申请>=PCT/JP2015 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 积层型 密封 后积层型 以及 这些 制造 方法 | ||
【说明书】：
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