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[发明专利]半导体器件、制备方法和层合体-CN201810254959.6有效
发明人：安田浩之;菅生道博;加藤英人;近藤和纪 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：提供了半导体器件，其包括支撑体、粘合树脂层、绝缘层、重布线层、芯片层和模塑树脂层。粘合树脂层树脂层(A)和树脂层(B)组成，所述树脂层(A)包含在其主链中含有稠环的光分解性树脂，所述树脂层(B)包含非有机硅系热塑性树脂并且具有在25℃为1‑500MPa的储能弹性模量E’和5至50MPa的拉伸断裂强度。所述半导体器件易于制造并且具有耐热加工性，容易分离所述支撑体并且有效地生产半导体封装。
半导体器件制备方法合体

[发明专利]含有机硅结构聚合物、感光树脂组合物、感光树脂涂层、感光干膜、层合体和图案形成方法-CN201810899840.4有效
发明人：丸山仁;近藤和纪 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明为含有机硅结构的聚合物、感光性树脂组合物、感光性树脂涂层、感光性干膜、层合体和图案形成方法。将包含分子中具有交联性基团或易交联反应的反应位点的含有机硅结构的聚合物的感光性树脂组合物涂布至基底上，以形成具有改进的基底粘合性、图案形成能力、耐开裂性、耐热性和作为保护膜的可靠性的感光性树脂涂层。
有机硅结构聚合物感光树脂组合涂层合体图案形成方法

[发明专利]发光二极管供给基板的制造方法、发光二极管显示器的制造方法、发光二极管显示器的分割单元的制造方法、及元件供给基板的制造方法-CN202180071541.1在审
发明人：中川秀夫;小川敬典;松本展明;近藤和纪 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明是一种发光二极管供给基板的制造方法，该发光二极管供给基板用于转移多个发光二极管，其特征在于，包括：第一搭载工序，在供给基板上搭载多个发光二极管；选择去除工序，选择性去除所述供给基板上的不良发光二极管；以及第二搭载工序，将正常发光二极管转移至所述供给基板上的之前配置有所述不良发光二极管的位置。由此，能够提供一种发光二极管供给基板的制造方法，其能够制造发光二极管供给基板，该发光二极管供给基板能够将多个正常发光二极管转移至供给目的地。
发光二极管供给制造方法显示器分割单元元件

[发明专利]半导体装置、积层型半导体装置、密封后积层型半导体装置-CN201910491197.6有效
发明人：竹村胜也;曾我恭子;浅井聪;近藤和纪;菅生道博;加藤英人 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-03-12 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明是一种半导体装置，其具有半导体元件和与半导体元件电连接的半导体元件上金属焊盘和金属配线，金属配线与贯穿电极和焊料凸块电连接，其中，所述半导体装置，具有载置有半导体元件的第一绝缘层、形成于半导体元件上的第二绝缘层以及形成于第二绝缘层上的第三绝缘层；金属配线，在第二绝缘层的上表面，通过半导体元件上金属焊盘而与半导体元件电连接，并且自第二绝缘层的上表面贯穿第二绝缘层并在第二绝缘层的下表面与贯穿电极电连接；并且，在第一绝缘层与半导体元件之间配置有半导体元件下金属配线，半导体元件下金属配线，在第二绝缘层的下表面与金属配线电连接。据此，提供一种半导体装置，容易载置于配线基板上和积层半导体装置，即便在金属配线的密度较大的情况下，也可以抑制半导体装置翘曲。
半导体装置积层型密封后积层型

[发明专利]化学增幅正型抗蚀剂膜层叠体和图案形成方法-CN201711186205.3有效
发明人：平野祯典;浅井聪;近藤和纪 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂膜层叠体和图案形成方法。提供层叠体，其包括热塑性膜和其上的化学增幅正型抗蚀剂膜，该抗蚀剂膜包含：(A)具有羟基苯基和保护基团的基础聚合物，该聚合物由于在酸的作用下保护基团被除去而变为碱可溶，(B)光致产酸剂，(C)有机溶剂，和(D)在其主链中具有酯键的聚合物。该抗蚀剂膜可被转印至台阶形支承体而不形成空隙。
化学增幅正型抗蚀剂膜层叠图案形成方法

[发明专利]感光性树脂组合物、感光性干膜、感光性树脂涂层和图案形成方法-CN201810104013.1有效
发明人：丸山仁;近藤和纪;柳泽秀好 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G03F7/075 文献下载
摘要：本发明为感光性树脂组合物、感光性干膜、感光性树脂涂层和图案形成方法。将包括(A)有机硅改性的聚苯并噁唑树脂和(B)在曝光至波长190至500nm的辐射时分解产生酸的光致产酸剂的感光性树脂组合物涂布至基材上，以形成厚涂层，将该涂层曝光至辐射，烘焙，并显影以形成图案。所述树脂涂层能够形成精细图案并且具有改进的耐开裂性和其它膜性质，和可靠性。
感光性树脂组合涂层图案形成方法

[发明专利]正型抗蚀剂膜层合体和图案形成方法-CN201810340335.6有效
发明人：平野祯典;浅井聪;近藤和纪 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明为正型抗蚀剂膜层合体和图案形成方法。提供了包括热塑性膜和正型抗蚀剂膜的层合体，所述正型抗蚀剂膜包括(A)酚醛清漆树脂‑萘醌二叠氮化物(NQD)系树脂组合物，(B)聚酯和(C)3‑30重量％的有机溶剂。可以将所述抗蚀剂膜转印至有阶梯的支持体而不形成空隙。
正型抗蚀剂膜层合体图案形成方法

[发明专利]一种半导体发光装置及其制造方法-CN202210326586.5在审
发明人：朱振甫;詹士凯;施逸丰;段忠;段大卫;小川敬典;近藤和纪;小材利之;松本展明;北川太一 -专利权人：美商旭明国际股份有限公司;信越化学工业株式会社
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体发光装置及其制造方法，所述方法包含形成具有侧壁P‑N接面的多个发光二极管结构于一成长基板上，及形成一隔离层于发光二极管结构上，LED结构于所述外延结构与成长基板的交叉处具有转角。此方法亦包含形成一可刻蚀的覆盖通道层于隔离层上，形成一图案化保护层于覆盖通道层上，使用一第一刻蚀工艺形成刻蚀通道于覆盖通道层中，及通过使用一第二刻蚀工艺来刻蚀隔离层以移除隔离层的所述转角。在第二刻蚀工艺以后，隔离层覆盖所述侧壁P‑N接面。此方法亦可包含接合成长基板至一载体，及使用一激光剥离工艺将成长基板与所述发光二极管结构分离。
一种半导体发光装置及其制造方法

[发明专利]使用雷射激光剥离将LED晶粒从基板剥离至接收板件的制造方法-CN202080061288.7在审
发明人：朱振甫;詹士凯;施逸丰;段大卫;段忠;小川敬典;大竹滉平;近藤和纪;大堀敬司;北川太一;松本展明;小材利之;上田修平 -专利权人：美商旭明国际股份有限公司;信越化学工业株式会社
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：一种发光二极管LED晶粒(32)的制造方法包含下述步骤：提供一基板(30)，及形成多个具有晶粒尺寸的半导体结构(32)于基板(30)上。制造方法亦包含下述步骤：提供一接收板件(42)，其具有一弹性体聚合物层(44)；安装基板(30)与接收板件(42)，以与由弹性体聚合物层(44)施加的一粘着力呈物理接触；及执行一激光剥离LLO工艺，借由导引一均匀激光光束(40)通过基板(30)而到达位于与基板(30)连接的一接口的半导体层(50)，以剥离此些半导体结构(32)至弹性体聚合物层(44)之上。在LLO工艺期间，弹性体聚合物层(44)作为一冲击吸收器以减少动量移转，并作为一粘着表面以将此些半导体结构(32)固持在接收板件(42)上的一定位置。
使用雷射激光剥离 led 晶粒接收制造方法

[发明专利]含环氧基异氰脲酸酯改性有机硅树脂、光敏树脂组合物、光敏干膜、层叠体和图案形成方法-CN201810998756.8有效
发明人：林久美子;丸山仁;近藤和纪;加藤英人 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C08G77/388 文献下载
摘要：本发明提供含环氧基的异氰脲酸酯改性有机硅树脂、光敏树脂组合物、光敏干膜、层叠体和图案形成方法。一种包含在分子中含有环氧基的异氰脲酸酯改性的有机硅树脂的光敏树脂组合物，其易于形成具有高透明性、耐光性和耐热性的树脂涂层，适应微加工，并且对于光学器件的保护和封装应用而言是有用的。涂层可以以厚膜形式加工，以限定具有精细尺寸和垂直度的图案，并且变成固化涂层，该固化涂层具有改进的对基底、电子部件、半导体器件和电路板支撑件的粘附性、机械性能、电绝缘性和抗开裂性，且作为绝缘保护膜是可靠的。
含环氧基异氰脲酸酯改性有机硅树脂光敏树脂组合层叠图案形成方法

[发明专利]微小结构体的转移方法和微小结构体的安装方法-CN202080060319.7在审
发明人：小川敬典;大堀敬司;上田修平;近藤和纪;小材利之;松本展明;北川太一;大竹滉平;川原实 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：根据微小结构体的转移方法，其至少包含：(i)将在供给基板的一面形成的多个微小结构体与在供体基板上形成的有机硅系橡胶层贴合的工序；(ii)通过从所述供给基板将多个微小结构体的一部分或全部分离、经由所述有机硅系橡胶层转移至所述供体基板，从而得到临时固定有多个微小结构体的供体基板的工序；(iii)对临时固定有所述多个微小结构体的供体基板清洗或中和的工序；(iv)将所述清洗或中和后的临时固定有多个微小结构体的供体基板干燥的工序；(v)为了将所述干燥后的临时固定有多个微小结构体的供体基板供于下一工序而转移的工序，由于能够在将微小结构体临时固定于一张供体基板的状态下供于多个工序，因此能够在无工序数的增加的情况下有效率地进行微小结构体的转移。
微小结构转移方法安装

[发明专利]有机硅改性的聚苯并噁唑树脂和制备方法-CN201810104003.8有效
发明人：丸山仁;林龙人;近藤和纪;柳泽秀好 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C08G73/22 文献下载
摘要：本发明为有机硅改性的聚苯并噁唑树脂和制备方法。通过加成聚合制备包括式(1a)和(1b)的重复单元的有机硅改性的聚苯并噁唑树脂。R1至R4为C1‑C8一价烃基，m和n为0‑300的整数，R5为C1‑C8亚烷基或亚苯基，a和b为小于1的正数，a+b＝1，X1为式(2)的二价连接基。所述树脂是柔性的，可溶于有机溶剂并且易于使用。
有机硅改性树脂制备方法

[发明专利]树脂组合物、树脂膜、半导体层叠体、半导体层叠体的制造方法及半导体装置的制造方法-CN201811036873.2有效
发明人：市冈扬一郎;串原直行;近藤和纪;隅田和昌 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C08L83/10 文献下载
摘要：本发明提供一种高强度、翘曲小、粘合力优异的树脂组合物、该组合物膜化而成的高强度树脂膜、具有该树脂膜的固化物的半导体层叠体及其制造方法、以及该半导体层叠体被切片而成的半导体装置及其制造方法。所述树脂组合物的特征在于，含有：(A)环氧树脂；(B)下述式(1)和/或式(2)中记载的环氧化合物；(C)下述式(3)所示的环氧化合物；(D)酚性固化剂；及(E)固化促进剂。[化学式1][化学式2][化学式3]式中，A为单键或选自下述式中的二价有机基团。[化学式4]
树脂组合半导体层叠制造方法装置

[发明专利]树脂组合物、树脂膜、半导体层叠体、半导体层叠体的制造方法及半导体装置的制造方法-CN201811037192.8有效
发明人：市冈扬一郎;串原直行;隅田和昌;近藤和纪 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C08L83/10 文献下载
摘要：本发明提供一种高强度且粘合力及柔软性优异的树脂组合物、该组合物膜化而成的高强度树脂膜、具有该树脂膜的固化物的半导体层叠体及其制造方法、以及该半导体层叠体被切片而成的半导体装置及其制造方法。所述树脂组合物的特征在于，含有：(A)环氧树脂；(B)下述式(1)和/或式(2)中记载的环氧化合物；(C)酚性固化剂；及(D)固化促进剂。[化学式1][化学式2]式中，A为单键或选自下述式中的二价有机基团。[化学式3]
树脂组合半导体层叠制造方法装置

[发明专利]基板加工用暂时粘着薄膜卷、薄型基板的制造方法-CN201810569688.3有效
发明人：田边正人;菅生道博;近藤和纪;安田浩之 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C09J7/40 文献下载
摘要：一种基板加工用暂时粘着薄膜卷，其特征在于，具备卷芯和复合薄膜状暂时粘着材料，该复合薄膜状暂时粘着材料卷绕在所述卷芯上且用以将应加工的基板暂时粘着在支撑体上，该复合薄膜状暂时粘着材料具有由热塑性树脂构成的第一暂时粘着材料层(A)、由热固性树脂构成的第二暂时粘着材料层(B)及由与第二暂时粘着材料层不同的热固性树脂构成的第三暂时粘着材料层(C)。一种薄型基板的制造方法，其使用所述基板加工用暂时粘着薄膜卷，该基板加工用暂时粘着薄膜卷能供给一种暂时粘着材料，该暂时粘着材料容易暂时粘着基板与支撑体，且在基板或支撑体上形成暂时粘着层的速度快，对于CVD等热工艺的耐性优异，容易剥离，能提高薄型基板的生产性。
基板加工用暂时粘着薄膜薄型基板制造方法

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