[发明专利]一种MEMS硅基微热板及其加工方法在审
| 申请号： | 201410344534.6 | 申请日： | 2014-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN104108677A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 沈方平;张珽;祁明锋;刘瑞;丁海燕;谷文 | 申请（专利权）人： | 苏州能斯达电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 硅基微热板 及其 加工 方法 | ||
1.一种MEMS硅基微热板，其特征在于，包括：
单晶硅衬底(1)；
多孔硅层(2)，形成于所述单晶硅衬底(1)的上表面且具有一定深度，所述多孔硅层(2)的上表面及孔壁表面形成有二氧化硅薄膜(21)，且所述多孔硅层(2)与所述单晶硅衬底(1)的上表面平齐；
下绝缘层(3)，覆盖所述多孔硅层(2)及所述单晶硅衬底(1)的上表面；
加热层(4)，设置于所述下绝缘层(3)的上表面，且所述加热层(4)位于所述多孔硅层(2)的正上方区域内；
上绝缘层(5)，覆盖所述加热层(4)的上表面。
2.如权利要求1所述的MEMS硅基微热板，其特征在于，所述多孔硅层(2)的厚度为20-100μm，孔隙率为50％-90％。
3.如权利要求1或2所述的MEMS硅基微热板，其特征在于，所述二氧化硅薄膜(21)的厚度为100-500nm。
4.如权利要求1或2所述的MEMS硅基微热板，其特征在于，所述上绝缘层(5)边缘具有若干缺口形成加热层引线窗(6)。
5.一种MEMS硅基微热板的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、在单晶硅衬底的上表面制备多孔硅层；
S2、在制备好的多孔硅层的上表面及孔壁表面制备二氧化硅薄膜；
S3、在具有所述多孔硅层的单晶硅衬底的上表面制备下绝缘层；
S4、在制备好的下绝缘层的上表面制备加热层，所述加热层位于所述多孔硅层的正上方区域内；
S5、在制备好的加热层的上表面，按照步骤S3的方法制备上绝缘层。
6.如权利要求5所述的MEMS硅基微热板的加工方法，其特征在于，所述步骤S1中的制备所述多孔硅层的方法为电化学方法。
7.如权利要求5或6所述的MEMS硅基微热板的加工方法，其特征在于，所述S1步骤中制备的所述多孔硅层的厚度为20-100μm，孔隙率为50％-90％。
8.如权利要求5或6所述的MEMS硅基微热板的加工方法，其特征在于，所述步骤S2中的制备二氧化硅薄膜的方法为热氧化方法。
9.如权利要求5或6所述的MEMS硅基微热板的加工方法，其特征在于，所述步骤S2中制备得到的二氧化硅薄膜的厚度为100-500nm。
10.如权利要求5或6所述的MEMS硅基微热板的加工方法，其特征在于，在步骤S5中制备所述上绝缘层时边缘保留若干缺口形成加热层引线窗。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州能斯达电子科技有限公司，未经苏州能斯达电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410344534.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
