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[实用新型]一种适用于气管镜的双通道负压装置-CN202321289396.7有效
发明人： 沈方平 -专利权人：南京医科大学附属逸夫医院
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： A61B1/015 文献下载
摘要：本实用新型涉及医疗用具领域，具体地说，涉及一种适用于气管镜的双通道负压装置，包括负压瓶、负压表、三通管、吸痰管端管、气管镜端管和调节件，所述负压瓶上设有所述负压表，所述负压瓶上端接有所述三通管，所述三通管内部设有所述调节件，所述三通管一端接有所述吸痰管端管，另一端上设有所述气管镜端管；本实用新型可以在使用气管镜时使用吸痰管，在检查治疗过程中，可以不用将气管镜拔出换吸痰管操作，将调节件调节到开通吸痰管端即可直接使用吸痰管，在使用时更加便捷，节省操作时间。
一种适用于气管双通道装置

[发明专利]一种氢气传感器及其制备方法-CN202111522564.8有效
发明人：马可贞;沈方平;徐晓苗;吴楠;张梦 -专利权人：苏州芯镁信电子科技有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G01M3/02 文献下载
摘要：本申请公开一种氢气传感器及其制备方法，该氢气传感器包括：基底和沿远离基底的方向上依次设置的第一薄膜、传感器组件和第二薄膜；基底朝向第一薄膜的一侧设置有绝热通腔，部分第一薄膜设置在绝热通腔的腔体开口处；传感器组件包括布置于第一薄膜上的第一电阻、第二电阻和环境温度电阻，第一电阻与第二电阻相邻布置；第一电阻与第二电阻设置于绝热通腔的腔体开口范围内；基底上还设置有贯穿基底且穿过绝热通腔的腔体的气体交换通道，气体交换通道设置在远离第一薄膜的一侧，本申请制备的氢气传感器能够检测浓度小于等于0.1％的氢气，且具有响应时间短、使用寿命长和热容低的优势，进而有助于提了车辆的安全性能。
一种氢气传感器及其制备方法

[发明专利]一种MEMS可燃气体传感器及其加工方法-CN201810220145.0有效
发明人： 沈方平 -专利权人：苏州芯镁信电子科技有限公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS可燃气体传感器及其加工方法，包括硅基底，硅基底的下表面设有2个绝热槽，上表面设有绝热层，绝热层表面设有对称分布且为多孔结构的第一贵金属催化层和第二贵金属催化层，第一贵金属催化层和第二贵金属催化层分别位于2个绝热槽的正上方，第一贵金属催化层表面设有气体隔绝层，第二贵金属催化层表面开有透气孔，气体隔绝层表面设有一组参比电阻，且与第一贵金属催化层和第二贵金属催化层串联，气体隔绝层边缘设有若干引线窗口。本发明提供的MEMS可燃气体传感器体积小，功耗低，性能稳定，加工方法简单，生产效率高。
一种 mems 可燃气体传感器及其加工方法

[发明专利]一种气体检测装置-CN202310073563.2在审
发明人：陈婷婷;沈方平;马可贞;张梦;吴楠 -专利权人：苏州芯镁信电子科技有限公司
申请日： 2023-01-29 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本申请公开一种气体检测装置，该气体检测装置包括：基底，以及依次设置于基底的一侧的半导体层和隔离层，隔离层上设有检测组件；检测组件包括气体检测元件和检测参考元件，气体检测元件包括能够吸收待检测气体的第一导电材料层，第一导电材料层与隔离层和半导体层构成第一电容结构；检测参考元件包括不能够吸收待检测气体的第二导电材料层，第二导电材料层与隔离层和半导体层构成第二电容结构，利用本申请提供的技术方案通过设置第一电容结构和第二电容结构能够显著提高气体检测装置的检测精度、热响应速度和灵敏度，同时，还可有效阻隔气体检测装置的热量散失，从而可增强气体检测装置的稳定性。
一种气体检测装置

[发明专利]一种氢气传感器及其制备方法-CN202111082160.1有效
发明人：马可贞;吴楠;徐晓苗;沈方平 -专利权人：苏州芯镁信电子科技有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01N31/10 文献下载
摘要：本申请公开一种氢气传感器及其制备方法，该氢气传感器包括：基底和沿远离基底的方向上依次设置第一薄膜、传感器组件和第二薄膜；传感器组件包括加热电阻、温度电阻和至少两个热敏电阻，至少两个热敏电阻与加热电阻相邻布置，温度电阻远离加热电阻布置；基底上设置有散热腔，加热电阻和温度电阻设置于散热腔范围内，本申请制备的氢气传感器具有整体热容低，热响应快的优势，同时提升了车辆在行驶时的安全性能。
一种氢气传感器及其制备方法

[发明专利]一种用于锂电池热失控预警的气体传感器及其制备方法-CN202210601086.8在审
发明人：马可贞;沈方平;徐晓苗 -专利权人：苏州芯镁信电子科技有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本申请公开一种用于锂电池热失控预警的气体传感器及其制备方法，该用于锂电池热失控预警的气体传感器包括：基底和桥型结构；基底的功能侧设置有散热腔，桥型结构悬空设置在散热腔的腔体开口范围内；桥型结构包括沿远离散热腔的方向上依次层叠设置的第一结构层、加热电阻层和第二结构层，其中，第一结构层靠近散热腔设置。本申请制备的用于锂电池热失控预警的气体传感器具有响应速度快、灵敏度高、使用寿命长、抗干扰性能高、功耗低、体积小和制备方法简便等优势，具有较高的应用价值。
一种用于锂电池失控预警气体传感器及其制备方法

[发明专利]一种气体检测组件及其制备方法-CN202210638376.X有效
发明人：马可贞;吴楠;徐晓苗;沈方平;张梦 -专利权人：苏州芯镁信电子科技有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本申请公开一种气体检测组件及其制备方法，该气体检测组件包括：基底，以及沿远离基底方向上依次设置的第一测温层、隔离层、第二测温层；第一测温层包括加热元件和第一测温元件，第二测温层包括第二测温元件，第一测温元件与第二测温元件串联。本申请制备的气体检测组件具备体积小、功耗低、成本低、检测精度高和良好的平台兼容性等优势，进而具有较高的应用价值。
一种气体检测组件及其制备方法

[实用新型]一种恒温电路及使用其电路的气体传感器-CN202220770746.0有效
发明人：吴楠;马可贞;徐晓苗;沈方平 -专利权人：苏州芯镁信电子科技有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种恒温电路及使用其电路的气体传感器，包括：控制模块、电桥模块和放大模块，所述控制模块与电桥模块电性连接，所述电桥模块与放大模块电性连接；所述电桥模块包括第二电阻，所述第二电阻的两端分别与第七电阻和第一电阻电性连接，所述第一电阻的另一端与第六电阻电性连接，所述第六电阻的另一端与第七电阻电性连接；所述放大模块包括差分运算放大器和运算放大器，所述差分运算放大器的同相输入端与第三电阻电性连接，所述第三电阻的另一端连接于第二电阻和第一电阻之间的电路上，所述差分运算放大器的反相输入端连接于第一电阻与第二电阻之间的电路上，所述差分运算放大器的输出端与第五电阻电性连接。
一种恒温电路使用气体传感器

[发明专利]一种MEMS器件的干法释放保护方法-CN202011639839.1在审
发明人：周文兵;袁永帅;邓文俊;齐心;廖风云;沈方平 -专利权人：深圳市韶音科技有限公司;苏州芯镁信电子科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本说明书公开了一种MEMS器件的干法释放保护方法，其特征在于，所述MEMS器件包括功能层和结构层，所述方法包括：在衬底的上表面制作功能层，功能层和衬底之间存在至少一处空隙；用聚合物填充至少一处空隙，并固化聚合物；从衬底的下表面刻蚀衬底到固化的聚合物，其中，所述刻蚀衬底至少部分形成所述MEMS器件的；以及去除固化的聚合物，得到MEMS器件。
一种 mems 器件释放保护方法

[外观设计]车用氢气传感器模组-CN202230122145.4有效
发明人：马可贞;徐晓苗;吴楠;沈方平 -专利权人：苏州芯镁信电子科技有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： 10-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：车用氢气传感器模组。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于汽车内氢气泄漏检测。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
氢气传感器模组

[发明专利]一种旁热式硅基薄膜催化氢气传感器及其加工方法-CN202010936802.9有效
发明人： 沈方平 -专利权人：苏州芯镁信电子科技有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G01N25/32 文献下载
摘要：本发明提供一种旁热式硅基薄膜催化氢气传感器，本氢气传感器通过MEMS加工工艺获得，包括硅基底，所述硅基底上表面设有绝热层，所述硅基底下表面开有一个或一对延伸至所述绝热层的绝热槽，所述绝热层表面设有一对高电阻温度系数材料组成的加热线圈，所述加热线圈内侧、外侧或上方设有催化薄膜层，所述催化薄膜层其一表面覆盖有一层耐高温介质层，其二表面留空，所述绝热层外圈设有贵金属薄膜电阻。本发明提供的氢气传感器可以同时在催化燃烧和热导两种模式下工作，体积小，功耗低，响应快，使用寿命长。
一种旁热式硅基薄膜催化氢气传感器及其加工方法

[发明专利]一种深硅刻蚀方法-CN202111521328.4在审
发明人：马可贞;沈方平;徐晓苗;吴楠;张梦 -专利权人：苏州芯镁信电子科技有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请公开一种深硅刻蚀方法，包括：对待刻蚀硅进行薄膜沉积，在待刻蚀硅上形成氧化薄膜层；在氧化薄膜层上形成第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行光刻，得到在氧化薄膜层上的具有第一预设图案的光刻胶层；对待刻蚀硅进行刻蚀，以去除第一预设图案处的氧化薄膜层，得到具有第一预设图案的待刻蚀硅；在具有第一预设图案的待刻蚀硅上形成第二光刻胶层，对第二光刻胶层进行光刻，得到在氧化薄膜层上的具有第二预设图案的光刻胶层；对待刻蚀硅形成第二预设图案的一侧进行刻蚀，以在第一预设图案处形成第一功能区域，以及在第二预设图案中除第一预设图案处形成第二功能区域，本申请能够通过一次刻蚀实现不同深度的刻蚀，具有易匀胶和曝光精度高的优势。
一种刻蚀方法

[发明专利]硅基腔光机械系统洛伦兹力磁场传感器加工方法-CN202010587423.3有效
发明人：黄勇军;陈鼎威;施钦凯;文光俊;李建;沈方平;孙国庆 -专利权人：电子科技大学;苏州芯镁信电子科技有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基腔光机械系统洛伦兹力磁场传感器加工方法，包括以下步骤S1、准备SOI衬底；S2、在SOI衬底表面蒸镀一层绝缘介质层，在绝缘介质层上蒸镀一层金属薄膜形成洛伦兹线圈结构；S3、通过图形化处理和等离子体增强蚀刻工艺在SOI衬底上蚀刻出大质量块、固定块、悬臂梁以及周期排列的腐蚀孔；S4、采用电子束曝光刻蚀技术，刻蚀出光子晶体结构；S5、采用HF气体腐蚀大质量块、固定块以及光子晶体区域下方SOI衬底埋氧层。本发明采用了新型的金属氧化物和氟化物作为介质层，并使用HF干法释放工艺，解决了传统介质层无法耐受HF溶液的问题，极大的缩短了工艺时间，且不存在局部F离子浓度不均匀的状况，刻蚀更加均匀。
硅基腔光机械系统洛伦兹力磁场传感器加工方法

[发明专利]一种氢气检测芯片及制造方法-CN202111242052.6在审
发明人：马可贞;沈方平;徐晓苗;吴楠 -专利权人：苏州芯镁信电子科技有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种氢气检测芯片及制造方法，其中，一种氢气检测芯片，包括硅基底层和位于硅基底层上的绝缘层，绝缘层上设置有电阻单元；电阻单元包括压敏电阻、加热电阻、测温电阻和氢敏电阻；硅基底层的内部开设出空腔；压敏电阻设置在空腔的边缘位置，加热电阻、测温电阻和氢敏电阻靠近空腔的中部位置设置。通过在硅基底层内开设空腔，将绝缘层上的压敏电阻设置在空腔的边缘位置，再结合加热电阻、测温电阻和氢敏电阻，本发明实现了一颗芯片同时具备加热、测温、氢气检测和压力检测功能，进而能够直接根据压力变化值对氢气浓度输出值进行校准，得到真实环境中的氢气浓度值。
一种氢气检测芯片制造方法

[发明专利]一种钯薄膜氢气传感器-CN202011581593.7有效
发明人： 沈方平 -专利权人：苏州芯镁信电子科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种钯薄膜氢气传感器，包括硅衬底、绝缘层、至少一个硅槽、钯合金薄膜组件、屏蔽层与控温组件；其中，钯合金薄膜组件包括对称设置的第一钯合金薄膜与第二钯合金薄膜；屏蔽层位于绝缘层上，并且还开设吸收窗口，吸收窗口与第一钯合金薄膜对应设置，用于供第一钯合金薄膜与氢气接触；控温组件包括加热线圈与测温线圈，测温线圈用于检测钯合金薄膜组件周围的温度，加热线圈用于升高钯合金薄膜组件周围的温度；硅槽与绝缘层相配合用于对钯合金薄膜组件保温。本发明采用对氢气敏感度高的钯合金，同时引入惠斯通电桥，大大提升了检测精度；其特殊的立体结构极大地提升了热响应速度，保温效果好，灵敏度高。
一种薄膜氢气传感器

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