[发明专利]一种化学机械研磨方法在审
申请号: | 201410339417.0 | 申请日: | 2014-07-16 |
公开(公告)号: | CN105328562A | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
发明(设计)人: | 魏红建 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | B24B37/10 | 分类号: | B24B37/10;B24B53/017 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 化学 机械 研磨 方法 | ||
1.一种化学机械研磨方法,其特征在于,该方法提供一研磨头和吸附于所述研磨头下表面的晶圆,用于实现晶圆研磨;该方法还包括以下步骤:
(1)晶圆研磨前或开始后,提供研磨垫,和与所述研磨垫接触的一修整器;
(2)将所述修整器置于所述研磨垫的边缘区域,对该修整器施加指向所述研磨垫表面的压力,并使该修整器逐渐向所述研磨垫中央区域移动,使研磨液分布于该研磨垫上表面;当所述修整器到达所述研磨垫的中央区域时,抬升所述修整器使其脱离所述研磨垫表面;
(3)重复步骤(2)直至所述研磨液均匀分布于所述研磨垫上表面为止;
(4)晶圆研磨结束后,将所述修整器置于所述研磨垫上表面的中央区域,使该修整器逐渐向所述研磨垫边缘区域移动,同时将晶圆研磨过程中的研磨副产物推向所述研磨垫之外;当所述修整器到达所述研磨垫的边缘区域时,将所述修整器抬升,使其脱离所述研磨垫的上表面;
(5)重复步骤(4),直至所述研磨垫上的研磨副产物完全被推向所述研磨垫之外为止。
2.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法,其特征在于:所述研磨垫具有凹槽;所述修整器与所述研磨垫接触的表面设有若干金刚石颗粒。
3.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法,其特征在于:所述修整器从研磨垫的中央区域移动至该研磨垫边缘区域的过程中,对所述修整器施加指向所述研磨垫表面的压力。
4.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法,其特征在于:所述研磨垫的形状为圆形;所述研磨垫放置于一研磨平台上并且在研磨过程中发生旋转。
5.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法,其特征在于:所述修整器的形状为圆形。
6.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法,其特征在于:所述研磨液由氧化剂和研磨粒子组成。
7.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法,其特征在于:所述研磨垫由多孔的、有弹性的聚合物材料制作而成。
8.根据权利要求4所述的化学机械研磨方法,其特征在于:所述研磨垫旋转速率为0-410rpm。
9.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法,其特征在于:所述步骤(2)中所述修整器施加指向所述研磨垫表面的压力为0-0.6MPa。
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