[发明专利]在微电子器件中形成低带隙源极和漏极结构的方法

说明书

描述了利用设置于源极/漏极结构中的位错来形成应变沟道器件的方法。那些方法/结构可以包括：在器件的衬底中形成源极/漏极区、以及在源极/漏极区中形成合金，其中合金包括将源极/漏极接触部与源极/漏极区之间的带隙减小到大体上为零的材料。本文中的实施例减小了器件的外部寄生电阻。

背景技术

微电子器件持续缩小，典型的掺杂源漏极结构的接触电阻随着接触面积减小而增大。同时，沟道电阻随着沟道长度缩小而保持减小。结果是，在寄生源极/漏极区中诱发了成比例增大的电压降，导致器件性能的改善减小。需要减小源极/漏极寄生电阻，因为它正快速地变成器件性能的瓶颈。

附图说明

尽管说明书以具体指出并清晰地要求保护某些实施例的权利要求做结论，但在结合附图阅读时，从发明的以下描述中可以更容易确定这些实施例的优点，在附图中：

图la-1h表示根据各实施例的结构的顶视图和截面视图。

图2表示根据实施例的方法的流程图。

图3表示根据实施例的系统的截面视图。

图4表示根据实施例的系统的示意图。

图5表示根据现有技术的结构。

具体实施方式

在以下具体实施方式中，参考了附图，附图通过例示方式示出了可以实践方法和结构的具体实施例。这些实施例得到足够详细的描述，以使本领域的技术人员能够实践实施例。要理解的是，各个实施例虽然不同，但未必是相互排斥的。例如，本文中结合一个实施例所描述的特定特征、结构或特性可以被实施在其它实施例中而不脱离实施例的精神和范围。此外，要理解的是，可以修改每个公开的实施例内的个体要素的位置或布置而不脱离实施例的精神和范围。因此，不应以限制性意义理解以下具体实施方式，并且实施例的范围仅由经适当解释的所附权利要求、以及由权利要求赋予权利的等同物的完整范围来限定。在附图中，类似的附图标记可以指示几个附图中的相同或相似的功能。

描述了形成和利用微电子结构(例如，包括低源极/漏极带隙的器件结构)的方法和相关联的结构。那些方法/结构可以包括：在器件的衬底中形成源极/漏极区；以及在源极/漏极区中形成合金，其中合金包括将源极/漏极接触部与源极/漏极区之间的带隙减小到大体上为零的材料。本文的实施例减小了器件的外部寄生电阻。

例如，图1a-1h示出了形成诸如低带隙晶体管/器件结构等微电子结构的实施例的视图。例如，图1a描绘了器件100的一部分，例如晶体管器件100的一部分。在实施例中，器件100可以包括平面晶体管、诸如FINFET或三栅极器件等多栅极晶体管、或纳米线结构、及其组合的其中之一的一部分。器件100包括栅极结构102、设置于栅极结构102与沟道区110之间的栅极电介质104、以及耦合到源极/漏极区108的源极/漏极接触部106。在实施例中，源极/漏极接触部可以包括金属源极/漏极接触部。沟道区110可以设置于源极/漏极区108之间并且在栅极结构102下方，并且在一些情况下，沟道区110可以包括Si_xGe_y成分。在实施例中，沟道区110和源极/漏极区可以包括设置于衬底101中的区域。

在实施例中，衬底101可以包括硅材料、非硅材料、单晶硅材料、多晶硅材料、压电材料、Ⅲ-Ⅴ材料和/或其它机电衬底材料中的至少一种材料。在实施例中，栅极结构102可以包括诸如NMOS或PMOS晶体管栅极结构等晶体管栅极结构102的一部分。在实施例中，源极/漏极区108可以包括硅鳍状物结构，其中，硅鳍状物结构可以包括诸如多栅极结构等三维晶体管结构的部分。在实施例中，硅鳍状物结构可以由电介质材料(未示出)彼此分开，电介质材料在实施例中可以包括STI(浅沟槽隔离)材料。