[发明专利]用于制造具有陶瓷阻隔层、无粘合剂的气体阻隔膜的装置

权利要求书

1.一种用于制造无粘合剂的气体阻隔膜的装置(100)，其包括：输送机构，其用于输送膜幅面；至少一个第一锁定系统(135)，其用于将所述膜幅面引入所述装置(100)的涂布室(130)中；至少一个第一涂布机构(170、180)，借助第一涂布机构，所述膜幅面可以通过在涂布室(130)中沉积阻隔材料被至少部分涂布；和任选的至少一个第二锁定系统(200)，其用于将所述膜幅面(30')送出所述涂布室(130)；和至少一个第二涂布机构(240)，借助该第二涂布机构，所述涂布的膜幅面可以通过塑料熔体的挤出被至少部分涂布。

2.根据权利要求1所述的装置(100)，其中在所述涂布室中存在比所述涂布室之外低的压力，并且提供第一锁定系统(135)以将所述膜幅面从高压侧引至所述涂布室的低压侧，和提供任选的第二锁定系统(200)，以将所述膜幅面从低压侧送出至高压侧。

3.根据前述权利要求中的一项或多项所述的装置(100)，其特征在于所述装置(100)具有至少一个用于挤出至少一种塑料熔体的挤出喷嘴，而所述膜幅面(30)得自所述塑料熔体；和一个或多个辊，其用于输送得自所述挤出的塑料熔体的所述膜幅面(30)。

4.根据前述权利要求中的一项或多项所述的装置(100)，其特征在于所述膜幅面(30)可以以至少3m/min，尤其是在30m/min和45m/min之间，进一步尤其是在30和300m/min之间，或高达240m/min，或高达150m/min及以下，尤其是最大值为300m/min，优选高达60m/min的输送速度来输送。

5.根据前述权利要求中的一项或多项所述的装置(100)，其特征在于所述第一和/或所述任选的第二锁定系统(135、200)具有至少一个辊锁(140、210)和/或至少一个狭缝锁(160、220)。

6.根据前述权利要求中的一项或多项所述的装置(100)，其特征在于一个或多个抽吸室(150)设置在所述第一锁定系统中和/或一个或多个抽吸室设置在所述任选的第二锁定系统(135)中。

7.根据前述权利要求中一项或多项所述的装置(100)，其特征在于所述涂布室具有用于将陶瓷阻隔层沉积到所述膜幅面上的机构。

8.根据前述权利要求中的一项或多项所述的装置(100)，其特征在于所述涂布室(130)具有用于膜预处理的离子源(190)，所述离子源(190)为惰性气体和/或反应性气体的离子源，优选为氩和氧的离子源，和/或所述涂布室(100)具有涂布区，其中设置一个或多个可处理所述膜幅面(30)的离子源(180)，所述离子源(180)同样优选是惰性气体和反应性气体的离子源，尤其是氩和氧的离子源。

9.根据前述权利要求中的一项或多项所述的装置(100)，其特征在于所述涂布室(130)中设置至少一种基于硅和氧的蒸发材料，尤其是Si蒸发材料和/或SiOx蒸发材料，由此Si和/或SiOx可以被蒸发并且被沉积到所述膜幅面上，和其中进一步优选地，所述沉积在下述温度下进行：1000℃至1500℃或1250℃至1500℃或1200℃±100℃或1300℃±100℃，尤其是1250℃。

10.根据前述权利要求中的一项或多项所述的装置(100)，其特征在于所述涂布室(130)中设置至少一个冷却的涂布辊，所述冷却的涂布辊优选在-70℃至+70℃的温度范围下可操作。

11.一种制造无粘合剂的气体阻隔膜的方法，该方法包括以下步骤：

-任选地，挤出塑料熔体以形成承载膜；

-将承载膜(30)输送到，尤其是在线输送到至少一个锁定系统(135)；

-将所述承载膜(30)通过所述锁定系统(135)引入涂布室(130)中；

-将阻隔层沉积到所述承载膜(30)上；

-任选地，通过锁定系统(200)送出所述膜(30)；和

-通过施加塑料熔体来涂布所述阻隔层，尤其是在线涂布所述阻隔层。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于下述步骤在所述方法开始时在线进行，以获得所述承载膜(30)：

-将至少一种塑料熔体通过至少一个用于制造至少一种承载膜(30)的挤出喷嘴挤出；和

-将所述获得的挤出的膜输送至所述涂布室。