[实用新型]一种全包封共阳二极管器件引线框架

说明书

技术领域

本实用新型涉及到一种引线框架，特别是涉及到一种全包封共阳二极管器件引线框架。

背景技术

现有的共阳二极管的引线框架结构如图1、图2所示，包括三根外引线1、共阳焊片2和两片芯片载片3，两片芯片载片3上分别连接两根外引线1，这两根外引线1为阴极线，共阳焊片2上连接有另一根外引线1，这根外引线1为阳极线，芯片载片3上安装芯片7，芯片7为发光芯片，芯片7一面为阴极，另一面为阳极，芯片7的阴极面接触到芯片载片3，即通过阴极线连接到外端，两片芯片7的阳极通过焊线8连接到共阳焊片2，即通过阳极线连接外端，本装置的芯片7工作时会产生热量，时间长了后即对性能产生影响，一般会设置散热片4，散热片4接触到芯片载片3，从而进行散热，但是散热片4为金属片，如果直接接触芯片载片3，导电后即形成短路，所以现有的共阳二极管上在散热片4和芯片载片3之间设置绝缘片6。

上述的共阳二极管的引线框架结构有以下缺陷：芯片载片3、绝缘片6和散热片4叠合，其之间焊接工艺过于复杂；芯片载片3、绝缘片6和散热片4叠合设置，还会影响整个共阳二极管的稳定性和一致性，存在很大的隐患。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服上述现有技术的缺点和不足，提供了一种全包封共阳二极管器件引线框架，克服现有的框架中，采用芯片载片、绝缘片和散热片叠合，进行散热的技术所带来的焊接工艺复杂，稳定性和一致性差的缺陷。

本实用新型的目的通过下述技术方案实现：一种全包封共阳二极管器件引线框架，包括两片芯片载片，三根外引线，以及共阳焊片，三根外引线的其中两根外引线分别连接到两片芯片载片，另一根外引线连接共阳焊片，所述的芯片载片上都设置有散热片。

本装置使用时，在芯片载片上安装好芯片，该芯片为发光芯片，芯片的阴极接触芯片载片，阳极通过焊线连接共阳焊片，整体使用环氧树脂包裹，但是三根外引线留在环氧树脂外面，外引线连接电源，使得芯片导通发光。本装置比起现有技术，将芯片载片做大，延伸出一部分成为散热片，无须再增加一片散热片和绝缘片，避免了现有技术中芯片载片、绝缘片和散热片叠合，使得焊接工艺太过于复杂，影响装置稳定性和一致性的缺点。

进一步，上述的芯片载片上设置有用于安装芯片的边框，边框即围绕芯片，芯片的阳极通过焊线连接到共阳焊片，当安装好芯片后，即进行焊接，本装置采用球焊，使用边框围住芯片，阻挡电镀液体以及电镀完后用于去毛刺的液体渗透到芯片载片上。

进一步，上述的边框的横截面为V型，上述的电镀液体以及电镀完后用于去毛刺的液体也可能过多，从而渗过边框，当边框设计成V型槽状时，过多的液体即会留在V型槽内。

本实用新型的有益效果是：

（1）本装置将芯片载片延伸出一部分作为散热片使用，不仅具有散热效果，还解决了现有技术中芯片载片、绝缘片和散热片叠合，从而使得接工艺太过于复杂，影响装置稳定性和一致性的缺陷，而且还节省了成本；

（2）芯片的周边设置一个边框，特别是边框设计成V型槽，很好地阻挡电镀液体以及电镀完后用于去毛刺的液体渗透到芯片载片上，保证电器使用的稳定性。

附图说明

图1 为现有技术的正面示意图；

图2 为现有技术的结构示意图；

图3 为实施例1的结构示意图；

图4 为实施例1的安装芯片后的示意图；

图5 为实施例2的结构示意图；

图6 为实施例2中V型槽截面图；

图中，1-外引线，2-共阳焊片，3-芯片载片，4-散热片，5-边框，6-绝缘片，7-芯片，8-焊线。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型作进一步的详细说明，但是本实用新型的结构不仅限于以下实施例：

【实施例1】

如图3、图4所示，一种全包封共阳二极管器件引线框架，包括两片芯片载片3，三根外引线1，以及共阳焊片2，三根外引线1的其中两根外引线1分别连接到两片芯片载片3，另一根外引线1连接共阳焊片2，所述的芯片载片3上都设置有散热片4。

本实施例在应用时，在芯片载片3上安装芯片7，芯片7的阴极接触芯片载片，阳极通过焊线8连接共阳焊片2，焊线8与芯片7采用球焊连接，焊线8与共阳焊片2采用键合连接，整体使用环氧树脂包裹，但是三根外引线1留在环氧树脂外面，外引线1连接电源，使得芯片7导通发光。

本实施例中芯片载片3做大，延伸出一部分成为散热片4，起到了散热的效果。

本实施例加工时三根外引线1的根部通过是通过横筋相连，方便后面的环氧树脂包裹的加工工序，产品加工后会将连接3根外引线1的横筋切掉。