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[发明专利]一种电力变压器真空浸渍工艺-CN202310680120.X在审
发明人：李婵娟;陈凤甫;王志立 -专利权人：李婵娟
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01F41/12 文献下载
摘要：本发明涉及变压器加工领域，更具体的说是一种电力变压器真空浸渍工艺。该工艺包括以下步骤：步骤一：将多种原料在容器Ⅰ内混合、加热制备得到绝缘油；步骤二：将绝缘油推进容器Ⅱ内并将变压器浸入绝缘油中；步骤三：将容器Ⅱ进行密封并进行加热；步骤四：对容器Ⅱ进行真空处理；步骤五：搅拌容器Ⅱ内的绝缘油并调节压力完成变压器浸渍。所述容器Ⅰ上固接有支撑框，容器Ⅰ的下端固接有传动管，传动管上固接有进料管，容器Ⅱ与进料管上下对应，传动管和容器Ⅱ上转动连接有加工有多个通孔的开关盘，容器Ⅱ与进料管均和开关盘面接触。能够间歇性添加具有动能的绝缘油，加强变压器的浸渍效果。
一种电力变压器真空浸渍工艺

[发明专利]一种纺织生产用高效印染装置及其使用方法-CN202010908707.8有效
发明人： 陈凤甫;陈斌;王祝光 -专利权人：桐乡市荣翔染整有限公司
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： D06B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种纺织生产用高效印染装置及其使用方法，包括底座，所述底座的顶部分别固定安装有加热箱和加工箱，且加工箱位于加热箱的一侧，所述加工箱内转动连接有多个转轴，且多个转轴上均固定套设有传动辊，所述加工箱内设有布料，布料分别与多个传动辊传动接触，所述布料的一侧延伸至加工箱的上方，所述底座的顶部一侧分别固定第一支撑板和第二支撑板。本发明能够实现对布料进行印染、烘干一体化，同时在进行添加染料时，无需停机，以此可有效的提高工作效率，并且能够保持染料和水的稀释液始终处于恒定的温度，所以在对布料进行染色时，可大大降低布料的质量问题，因此本技术方案具有良好的市场推广前景。
一种纺织生产高效印染装置及其使用方法

[发明专利]低电磁干扰功率器件终端结构的制造工艺-CN202010013863.8有效
发明人：蔡少峰;任敏;高巍;李科;陈凤甫;邓波;贺勇;蒲俊德 -专利权人：四川立泰电子有限公司
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供了一种低电磁干扰功率器件终端结构的制造工艺，所述工艺制得的终端结构包括：从下至上依次层叠设置的金属化漏极、第一导电类型半导体衬底和第一导电类型半导体外延层，以及第二导电类型半导体主结、第二导电类型半导体等位环、第一导电类型截止环、第二导电类型半导体场限环、第一介质层、第二介质层、第三介质层、导电场板、电阻和金属化源极。本发明能够在场限环和场板之间引入HK介质层，由半导体场限环、HK介质层和场板构成MIS电容结构，并与相邻的多晶硅电阻串联，从而在源极和漏极高电位之间形成了RC吸收网络，能够有效抑制功率器件在快速开关中产生的dv/dt和di/dt，缓解EMI噪声。
电磁干扰功率器件终端结构制造工艺

[发明专利]一种塑封芯片内部缺陷的识别方法-CN202210402961.X在审
发明人：赵浩然;任万春;哈马友吉;蔡少峰;李科;陈凤甫;李力;蒲俊德;王姮 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种塑封芯片内部缺陷的识别方法，所述塑封芯片内部缺陷的识别方法包括：S1：获取塑封芯片内部超声检测图像的原始数据集；S2：对所述原始数据集进行数据增广处理，得到增广后的数据集；S3：对所述增广后的数据集进行归一化处理，得到大型图像数据集；S4：利用所述大型图像数据集对多个卷积神经网络模型进行训练和测试，选择其中最优模型进行改进，得到改进后的卷积神经网络模型；S5：利用所述大型图像数据集对所述改进后的卷积神经网络模型进行训练和测试，得到塑封芯片内部缺陷的识别结果。本发明能够解决现有人工检测效率低、实时性差等问题，从而能够有效地实现塑封芯片内部缺陷高效、快速、自动的识别。
一种塑封芯片内部缺陷识别方法

[发明专利]一种引线键合可靠性检测系统及方法-CN201910789825.9有效
发明人：任万春;蔡少峰;李科;邓波;陈凤甫;李力;吕晓英 -专利权人：四川立泰电子有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供的一种引线键合可靠性检测系统及方法，涉及精密焊接技术领域，其中系统由传感器夹具、施力驱动模块、处理控制单元、数据处理模块以及电源模块组成，该系统结合安装于微型力传感器上的芯片，形成一套最大键合强度、破坏性可靠性与非破坏性可靠性测试的方法，模拟芯片的应用能准确模拟引线键合过程的材料场景，避免采用芯片成品进行破坏性测试造成的高成本；直接用于键合非破坏或破坏力大小测试，评估键合质量与可靠性，无需其它专用检测设备。
一种引线可靠性检测系统方法

[发明专利]一种适用于超结DMOS器件的改良结构-CN201811611752.6有效
发明人：蔡少峰;任敏;高巍;宋炳炎;李科;陈凤甫;邓波 -专利权人：四川立泰电子有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于超结DMOS器件的改良结构，属于电子器件优化技术领域，在超结DMOS器件的第一导电类型半导体掺杂衬底与金属化漏极的接触面上还设置有重掺杂的第二导电类型半导体岛区，所述重掺杂的第二导电类型半导体岛区构成器件底部空穴注入区，所述重掺杂的第二导电类型半导体岛区嵌入设置在第一导电类型半导体掺杂衬底中并且其底部与金属化漏极的上表面也相接触；并且第一导电类型掺杂柱区和第二导电类型半导体掺杂柱区下半部分区域的载流子寿命均长于上半部分区域的载流子寿命。
一种适用于 dmos 器件改良结构

[实用新型]一种全包封的TO247F封装结构-CN202122561931.7有效
发明人：蒲俊德;陈凤甫;杨强 -专利权人：四川立泰电子有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种全包封的TO247F封装结构。所述封装结构包括金属框架、芯片和塑封体，其中，金属框架包括载片台和引脚，引脚与载片台连接并包括至少2个管脚；芯片设置在载片台上；塑封体将芯片、载片台包裹。本实用新型背面为绝缘材料包裹，可起到绝缘作用；整机生产使用时无需增加绝缘垫片，省去绝缘垫片的成本；可节省操作环节，提高生产效率；产品做成全包封后，仍通过背面与载片台散热，不会影响整体散热。
一种全包封 to247f 封装结构

[发明专利]一种引线键合工艺可靠性监测方法-CN201910141627.1有效
发明人：任万春;蔡少峰;李科;陈凤甫;李力;邓波;邓云刚 -专利权人：四川立泰电子有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G01N19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种引线键合工艺可靠性监测方法，属于精密焊接技术领域，利用基于力传感器的检测模块，监测引线键合工艺关键参数，评价键合可靠性。基于定期监测与数据分析，形成一种引线键合的参数监测与可靠性保障方法。
一种引线工艺可靠性监测方法

[实用新型]一种点锡头-CN202020275286.5有效
发明人：吕万春;贺勇;邓云刚;邓波;陈凤甫;李力;蒲俊德;杨红伟 -专利权人：四川立泰电子有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： B23K3/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种点锡头。所述点锡头包括锡丝管、以及套设在锡丝管上且沿锡丝走向依次连接的第一外管、隔热段和第二外管，锡丝管能够使锡丝通过；第一外管管身上设置有分别供冷却气体流入和流出的第一进气管和第一出气管，第一外管的内壁与部分锡丝管的外壁能够围成供冷却气体流出的第一环形腔；第二外管管身上设置有分别供保护气体流入和流出的第二进气管和第二出气口，第二外管的内壁与部分锡丝管的外壁能够围成供保护气体流出的第二环形腔；隔热段能够阻隔或减弱第一环形腔内冷却气体与第二环形腔内保护气体之间的热量的传递。本实用新型的有益效果包括：改善锡丝的氧化程度，从而达到优良的点锡效果。
一种点锡头

[实用新型]一种芯片脱离用顶针高度控制夹具-CN202020454574.7有效
发明人：吕万春;贺勇;邓云刚;邓波;陈凤甫;李科;李力 -专利权人：四川立泰电子有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种芯片脱离用顶针高度控制夹具，所述控制夹具包括水平行走构件和夹具本体，其中，所述夹具本体包括长方体以及设置在长方体上的第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽，所述第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽沿长方体长度方向设置在同一个平面上且具有不同的深度；水平行走构件与夹具本体相连并能够控制夹具本体在水平面上移动。进行高度检测时根据需要控制的顶针高度选择夹具本体上对应的凹槽，通过水平行走构件控制夹具本体向顶针移动，若顶针高度超高则顶针不能进入所述凹槽中，降低顶针高度重复进行高度检测直到顶针能够进入凹槽。本实用新型具有能够快速方便的判断顶针高度是否超过高度控制上限值、控制夹具体积小、成本低等优点。
一种芯片脱离顶针高度控制夹具

[实用新型]一种用于芯片吸取的装置-CN202020274301.4有效
发明人：吕万春;贺勇;蔡少峰;邓云刚;邓波;陈凤甫;蒲俊德;杨红伟 -专利权人：四川立泰电子有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于芯片吸取的装置。所述装置包括耐高温皮囊以及依次连通的金属竿、隔热竿、连接竿、吸咀竿和吸咀，耐高温皮囊套设在金属竿上；金属竿具有中空腔体，一端为封闭结构，另一端具有连通中空腔体与外界的开口，金属竿套设有耐高温皮囊的竿段上还开设有若干个与中空腔体连通的贯穿孔。所述装置还可包括耐高温皮囊、隔热段以及依次连通的金属竿、吸咀竿和吸咀，耐高温皮囊套设在金属竿上；金属竿具有中空腔体，一端为封闭结构，另一端套设有隔热段，金属竿套设有耐高温皮囊的竿段上还开设有若干个与中空腔体连通的贯穿孔。本实用新型的有益效果可包括：通过压力变化以吸取芯片，避免了损坏芯片带来的经济浪费。
一种用于芯片吸取装置

[实用新型]一种半导体芯片焊线线弧高度检测装置-CN202020299562.1有效
发明人：吕万春;贺勇;蔡少峰;邓云刚;邓波;陈凤甫;李力 -专利权人：四川立泰电子有限公司
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G01B5/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体芯片焊线线弧高度检测装置，所述检测装置包括：支架本体、移动触块、合格判断触块、电源、第一指示灯、第二指示灯、第一导线以及第二导线，支架本体包括水平设置的固定部件和垂直设置在固定部件上的支撑部件，移动触块与固定部件平行设置支撑部件上并能够相对其上下移动，合格判断触块固定设置在支撑部件上且位于固定部件和移动触块之间并能够限制移动触块向下移动的位置；电源一极与移动触块连通，另一极分别通过第一、第二导线与合格判断触块和芯片管脚连通，第一、第二指示灯分别设置在第一、第二导线上，其中，所述移动触块和合格判断触块均能够导电。本实用新型具有能够判断芯片焊线线弧高度、结构简单等优点。
一种半导体芯片线线高度检测装置

[实用新型]一种适合大功率TO封装的异形不对称框架-CN202020272910.6有效
发明人：吕万春;贺勇;邓云刚;李科;邓波;陈凤甫;李力;蒲俊德;杨红伟 -专利权人：四川立泰电子有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种适合大功率TO封装的异形不对称框架。所述框架可包括：依次连接的散热片、芯片载体、第二引脚连接部件和第二引脚，以及通过连接筋与第二引脚连接的第一引脚、第三引脚，其中，散热片上开设有固定孔；第一引脚与第三引脚分别位于第二引脚的两侧，第三引脚焊接区域的宽度为所述第一引脚焊接区域宽度的2～3倍，第二引脚、第一引脚和第三引脚都位于所述芯片载体的正面一侧。本实用新型的有益效果可包括：能够满足大功率器件大电流、低导通、低损耗等特性对封装框架的要求。
一种适合大功率 to 封装异形不对称框架

[发明专利]电磁干扰低的功率器件终端结构-CN202010371071.8在审
发明人：蔡少峰;任敏;高巍;李科;陈凤甫;邓波;贺勇;蒲俊德 -专利权人：四川立泰电子有限公司
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种电磁干扰低的功率器件终端结构，所述终端结构包括：从下至上依次层叠设置的金属化漏极、第一导电类型半导体衬底和第一导电类型半导体外延层，以及第二导电类型半导体主结、第二导电类型半导体等位环、第一导电类型截止环、第二导电类型半导体场限环、第一介质层、第二介质层、第三介质层、导电场板和金属化源极。本发明能够在场限环和场板之间引入HK介质层，由半导体场限环、HK介质层和场板构成MIS电容结构，并与相邻的多晶硅场板串联，从而在源极和漏极高电位之间形成了RC吸收网络，能够有效抑制功率器件在快速开关中产生的dv/dt和di/dt，缓解EMI噪声。
电磁干扰功率器件终端结构

[实用新型]一种半导体芯片脱离用顶针机构-CN202020300821.8有效
发明人：吕万春;贺勇;蔡少峰;邓云刚;邓波;陈凤甫;李力 -专利权人：四川立泰电子有限公司
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体芯片脱离用顶针机构，所述顶针机构包括：顶针冒、顶针和顶针座，其中，所述顶针冒为圆筒结构，顶针冒的上顶面为光滑平面且设有供顶针穿过的第一开孔；所述顶针座设置在顶针冒内部且能够相对顶针冒上升和下降，顶针冒上部设有供顶针插入的第二开孔且所述第二开孔为长方形排列；所述顶针一端插入顶针座上的第二开孔中，另一端能够和顶针座一同上升并穿出所述第一开孔预定高度；所述第一开孔与第二开孔的数量和位置被分别设置为一一对应。本实用新型具有能够兼容大小芯片，更加匹配长方形大芯片等优点。
一种半导体芯片脱离顶针机构

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