[发明专利]功率型LED封装用苯基含氢硅油的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机硅油的制备领域，尤其是涉及一种功率型LED封装用的具有高折射率的苯基含氢硅油的制备方法。

背景技术

当前，照明约占世界总能耗的20%左右。若用能耗低、寿命长、安全、环保的光源取代低效率、高耗电量的传统光源,无疑将带来一场世界性的照明革命,对我国的可持续发展更具有重要的战略意义。半导体照明技术是21世纪最具有发展前景的高科技领域之一，随着氮化镓为代表的第三代半导体的兴起，白光LED已实现了批量生产。高亮度的白光LED消耗的电能仅是传统光源的1/10,具有体积小、寿命长等优点,有望取代白炽灯等照明光源,成为第四代照明光源。传统的LED封装多采用环氧树脂，但随着LED的功率增大，对封装材料提出了更为苛刻的要求。由于大功率LED工作时间长、散发热量多，将使环氧树脂出现变黄、分层、粘接性下降、机械性能降低、发光率减小等不良现象。而有机硅材料具有较高的耐热性、耐老化性好、高透光率，既含有无机的Si-O键结构，又含有有机基团，兼具有机材料和无机材料的特性，在低温下也能保持良好的性能，可以在一个很宽的温度范围内工作。因此是大功率LED封装的首选材料。有机硅封装材料的折射率对LED取光效率有较大影响。由于氮化镓（GaN）发光芯片材料的折射率为2.2左右，为了能够减少因为界面折射率不一致而导致的光效率的损失，要求GaN上面的封装材料的折射率尽可能达到2.2，但一般有机硅材料的折射率仅为1.4左右，难以满足封装大功率LED对有机硅材料的折射率的要求。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种功率型LED封装用苯基含氢硅油的制备方法，其折射率可以满足封装大功率LED的要求，从而解决现有有机硅材料仅为1.4左右的折射率不能满足大功率LED封装要求的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种功率型LED封装用苯基含氢硅油的制备方法，包括：

以甲基苯基环硅氧烷混合环体（D_m^Ph）和聚甲基氢环硅氧烷（D_m^Ph）为反应单体，在催化剂作用下进行聚合反应，聚合反应时加入封端剂封端，封端后采用溶剂萃取纯化，纯化后即得到功率型LED封装用苯基含氢硅油。

本发明的有益效果为：该方法制得的苯基含氢硅油，折光指数在1.50～1.54之间，氢含量在0.30wt%-0.45wt%之间，具有耐候性、耐老化的特性，能作为功率型LED封装，制备过程工艺简单，催化剂和有机溶剂均可以回收再处理使用，污染少便于规模化生产。

具体实施方式

下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。

本发明实施例提供一种功率型LED封装用苯基含氢硅油的制备方法，包括：

以甲基苯基环硅氧烷混合环体（D_m^Ph）和聚甲基氢环硅氧烷（D_m^Ph）为反应单体，在催化剂作用下进行聚合反应，聚合反应时加入封端剂封端，封端后采用溶剂萃取纯化，纯化后即得到功率型LED封装用苯基含氢硅油。

上述方法中，甲基苯基环硅氧烷混合环体（D_m^Ph）为甲基苯基环三硅氧烷和甲基苯基环四硅氧烷，其化学结构式为：

聚甲基氢环硅氧烷（D_m^Ph）为1，1,3,3四甲基-1,1,3,3-四氢环四硅氧烷，其化学结构式为

甲基苯基环硅氧烷混合环体（D_m^Ph）中（MePhSiO)单元占所述反应单体的（MePhSiO)单元与(MeHSiO)单元总重量的35～65%。

上述方法还包括：聚合反应前，对所述甲基苯基环硅氧烷（D_m^Ph）和聚甲基氢环硅氧烷（D_m^Ph）进行真空脱水处理。

上述方法中，真空脱水处理采取真空泵抽真空，在温度180℃、压力-1.057MPa下进行。

上述方法中，催化剂采用大孔径阳离子交换树脂，所述催化剂的用量不少于所述反应单体总体积的35%。