[发明专利]内连线结构和其制作方法

说明书

技术领域

本发明有关于一种集成电路装置及其制作方法，特别是有关于一种内连线结构和其制作方法。

背景技术

半导体构件包括外部连接，使得电连接可从外部连接至半导体构件中的集成电路。例如，一半导体晶粒包括形成在晶粒表面的接合垫图案，而芯片尺寸封装(chip scale package)的半导体封装体亦包括外部连接。一般来说，构件在其表面侧(电路侧)或背面侧包括外部连接，且构件有时于表面侧和背面侧均需有外部连接。

在半导体技术中，穿基底导孔(through substrate via)是形成在半导体基底(晶片或晶粒)中的导电图样，以电性连接基底两侧的外部连接。TSV垂直穿过半导体基底，提供堆叠的晶片/晶粒的封装方法，使得分隔晶片或晶粒的电路间可形成电性连接。形成TSV的方法包括许多种，一般来说，其包括对半导体基底进行蚀刻，形成孔洞，且孔洞有时可穿过内连线结构。孔洞中可包括绝缘层及/或金属层。孔洞后续填入一般为铜的导电材料，形成TSV的主要部分。

传统的技术使用电镀法形成填入TSV孔洞中的导电填充材料，而电镀技术的晶种层(seeding layer)使用如物理气相沉积的真空技术在填入导电填充材料之前形成。然而，真空技术为高价的设备，因此增加元件的成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种内连线结构及其制作方法，用以解决上述的问题或其他问题。

根据上述，本发明于一实施例提供一种内连线结构，包括：一基底，具有至少一电子元件和一穿过基底的通孔，其中至少一电子元件邻近基底的第一侧，通孔具有一第一开口，邻近基底的第一侧；一导孔结构，位于通孔中，其中导孔结构不超过第一开口；一第一垫，位于基底的第一侧且覆盖通孔，其中第一垫邻接导孔结构且电性连接至少一电子元件。

本发明于一实施例提供一种内连线结构的制作方法，包括：提供一基底，具有一第一侧和一相对于第一侧的一第二侧；形成一通孔，穿过基底，其中通孔具有一第一开口和一第二开口，第一开口邻近基底的第一侧，第二开口邻近基底的第二侧；形成一第一垫，覆盖第一开口；在形成第一垫之后，形成一导孔结构于通孔中，其中导孔结构包括导电材料，且邻接第一垫。

本发明于一实施例提供一种内连线结构的制作方法，包括：提供一基底；形成一通孔，穿过基底；及于基底的一第一侧进行一网印工艺，填入一导电材料于通孔中，以于通孔中形成一导孔结构和位于基底的一第一侧的第一垫，其中第一垫邻接导孔结构。

附图说明

图1A～图1F显示本发明一实施例形成内连线结构的方法中间阶段的剖面图。

图2显示本发明另一实施例形成内连线结构的方法中间阶段的剖面图。

图3A～图3F显示本发明另一实施例形成内连线结构的方法中间阶段的剖面图。

其中，附图标记说明如下：

102～基底；  104～缓冲层；

106～第一侧；  108～第二侧；

110～通道层；  111～第一开口；

112～阻障层；  113～第二开口；

114～电子元件；  116～栅电极；

118～源极电极；  120～漏极电极；

122～钝化层；  124～感光层；

126～通孔；  128～绝缘层；

130～第一垫；  132～导孔结构；

134～第二垫；  202～第一垫；

302～基底；  304～缓冲层；

306～第一侧；  308～第二侧；

310～通道层；  311～第二开口；

312～阻障层；  314～电子元件；

316～栅电极；  318～源极电极；

320～漏极电极；  324～感光层；

326～通孔；  328～绝缘层；

330～第一垫；  332～导孔结构；

334～第二垫。

具体实施方式

以下详细讨论实施本发明的实施例。可以理解的是，实施例提供许多可应用的发明概念，其可以较广的变化实施。所讨论的特定实施例仅用来发明使用实施例的特定方法，而不用来限定发明的范畴。为让本发明的特征能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：