[发明专利]芯片失效分析方法及芯片失效分析标记有效
| 申请号： | 201310365572.5 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104425297B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 杨梅;殷原梓;文智慧;高保林;赵利利 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/88;G01R31/311;G01R31/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 失效 分析 方法 标记 | ||
【权利要求书】：
1.一种芯片失效分析方法，包括：
提供待测芯片，在SEM下将所述芯片的缺陷位置做第一标记，所述第一标记为积碳；
将所述待测芯片放置于FIB中，利用电子束照射所述第一标记以形成一氧化膜，从而形成在离子束下可识别的芯片失效分析标记。
2.如权利要求1所述的芯片失效分析方法，其特征在于，在SEM下将所述芯片的缺陷位置做第一标记的方法包括：
利用SEM的电子束持续照射大于等于20s以形成积碳。
3.如权利要求2所述的芯片失效分析方法，其特征在于，所述电子束照射时调整电压为1kV-3kV。
4.如权利要求2所述的芯片失效分析方法，其特征在于，所述SEM的电子束标记精度为30nm-100nm。
5.如权利要求1所述的芯片失效分析方法，其特征在于，所述电子束照射所述第一标记以形成一氧化膜时，FIB的电压为1-3kV，电子束电流为1-2nA，照射时间为大于90s。
6.如权利要求1所述的芯片失效分析方法，其特征在于，所述提供待测芯片，在SEM下将所述芯片的缺陷位置做第一标记之前还包括：
将所述待测芯片置于SEM中，利用电子束随机扫描直到发现缺陷位置。
7.如权利要求1所述的芯片失效分析方法，其特征在于，所述形成在离子束下可识别的芯片失效分析标记之后，还包括：
利用FIB进行切割分析。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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