[发明专利]自对准沟槽的形成方法

权利要求书

1.一种形成集成电路的方法，其包括：

在衬底上形成结构，所述结构包括结构材料和蚀刻终止层，所述蚀刻终止层具有上表面和下表面；

对所述结构实施平坦化并在所述蚀刻终止层上终止平坦化；

使所述结构材料选择性凹陷使得在所述选择性凹陷结束时，所述结构材料的暴露的上表面与所述蚀刻终止层的所述下表面大致共面；及

选择性去除所述蚀刻终止层，以留下包括凹陷的结构材料的预先暴露的上表面的大致共面表面和通过去除所述蚀刻终止层暴露的材料的上表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构材料包括氧化硅形式。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻终止层包括氮化物。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述蚀刻终止层包括Si₃N₄。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在选择性去除所述蚀刻终止层之前且在平坦化之后，所述蚀刻终止层的厚度介于约与之间。

6.根据权利要求1所述的方法，其中将所述结构材料选择性凹陷到与所述蚀刻终止层的所述下表面大致共面包括将所述结构材料选择性凹陷到距离所述蚀刻终止层的所述下表面内的水平。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述通过去除所述蚀刻终止层暴露的材料包括与所述结构材料不同的材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中通过选择性去除所述蚀刻终止层留下的所述大致共面表面包括实质上在平面上直接围绕所述凹陷的结构材料的暴露的上表面的所有材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述结构包括：

提供所述蚀刻终止层至所述衬底的上方；

通过蚀刻所述蚀刻终止层，在所述衬底中形成沟槽；及

以衬层衬所述沟槽。

10.根据权利要求9所述的方法，其中形成所述结构还包括使用填充材料填充所述沟槽，以及所述结构材料包括所述填充材料。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述衬层包括在所述沟槽上方的氧化物衬层和在所述氧化物衬层上方的氮化物衬层。

12.一种形成集成电路的方法，所述方法包括：

形成结构，包括：

提供蚀刻终止层至衬底的上方，所述蚀刻终止层具有上表面和下表面；

通过蚀刻所述蚀刻终止层，在所述衬底中形成沟槽；

以衬层衬所述沟槽，其中所述蚀刻终止层和邻近的蚀刻终止层被置于在所述沟槽的相对侧面上的所述衬底的上方；

使用填充材料填充所述沟槽；

对所述结构实施平坦化并在所述蚀刻终止层上终止平坦化；

使所述填充材料选择性凹陷使得所述填充材料的暴露的上表面与所述蚀刻终止层的所述下表面大致共面，其中使所述填充材料选择性凹陷后，所述衬层的一部分突出至在所述蚀刻终止层和所述邻近的蚀刻终止层之间的所述填充材料的上方；及

选择性去除所述蚀刻终止层，以留下包括凹陷的填充材料的所述暴露的上表面的大致共面表面。

13.根据权利要求12所述的方法，其中当选择性去除所述蚀刻终止层时，突出至所述结构材料的上方的所述衬层的所述部分被选择性去除。

14.根据权利要求12所述的方法，其中突出至所述结构材料的上方的所述衬层的所述部分包括氮化物。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述衬层包括氮化物衬层和至少一个氧化物衬层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述至少一个氧化物衬层包括置于所述氮化物衬层的相对侧面的两个氧化物衬层。

17.根据权利要求12所述的方法，其中提供所述填充材料包括沉积氧化硅，以及形成蚀刻终止层包括沉积氮化硅。

18.根据权利要求12所述的方法，其中选择性去除所述蚀刻终止层包括暴露氧化物表面。